硅材料中Fe元素检测方案(ICP-AES)
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Fe等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
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Fe元素
聚光科技（杭州）股份有限公司
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硅材料中P元素检测方案(ICP-AES)
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中P等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
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P元素
聚光科技（杭州）股份有限公司
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二维晶体材料单层二硒化钨中单光子发射现象检测方案(扫描探针)
建伟院士课题组利用attocube公司的低温强磁场光学显微镜（attoCFM)研究发现了二维晶体材料单层二硒化钨（WSe2)中存在的由于缺陷态引起的单光子发射现象。先，通过低温磁场下对微米尺寸单层样品的光致发光谱精细扫描成像可以发现样品某些位置存在超窄发光光谱。超快激光光致发光谱的测量研究证实了该处发光点为单光子发射。随着低温强磁场下（改变磁场，改变入射光左旋与右旋性质等实验技术）进一步对光致发光谱的表征发现在零磁场下样品存在0.71meV的能量差并且该材料中存在超大激子g参数。经过分析，该单光子发射很可能是由中性激子被缺陷态束缚在二维晶体中引起的。
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单光子发射现象
QUANTUM量子科学仪器贸易（北京）有限公司
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ZRNx快离子导体薄膜中制备及其Cr掺杂性能的研究检测方案(电化学工作站)
全固态电致变色器件的实用化研究一直是该领域的研究热点。电致变色器件
全固态化的关键是采用合适的快离子导体（有时亦称固体电解质）作为器件的离子传导层。目前，用于电致变色器件的快离子导体仍以固态聚合物电解质为主，然而，聚合物电解质存在易老化、机械强度差、工业化生产难度较大等缺点。无机快离子导体是最有希望用于全固态电致变色器件的离子导体材料。本实验室前期研究结果表明，在合适的工艺参数下制备的 ZrNx薄膜具有高的透过率、良好的热稳定性、耐磨性和化学稳定性，适合于作为电致变色器件的离子导体层。 到目前为止，制备离子导体薄膜最常用的方法有溶胶－凝胶法、真空蒸发法、化学气相沉积法和溅射沉积法等，其中磁控溅射以沉积速率高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易控制等优点而日益成为制备离子导体薄膜的理想工艺方法。
因此本文以纯锆靶及纯铬靶为靶材，采用反应磁控溅射工艺在 WO3/ITO/Glass
基片上沉积 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜，通过紫外－可见分光光度计、循环伏安法、交流阻抗法、X 射线衍射仪、热场发射扫描电镜以及扫描隧道显微镜等测试分析方法，研究了制备工艺参数以及 Cr 掺杂对 ZrNx薄膜离子导电性能和结构的影响 。
研究结果表明：采用射频反应磁控溅射工艺制备的 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜
均为非晶态结构，溅射功率和氮气分量等工艺参数对薄膜的离子导电性能有较大影响，选择合适的氮分量和溅射功率有助于提高 ZrNx薄膜的离子导电性能，在本实验的条件下，原位沉积 ZrNx薄膜的可见光透过率大于 75％,ZrNx/WO3/ITO/Glass器件的光学调节范围最大可达 57％以上，在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。
掺杂后的 ZrNx:Cr 薄膜，晶态趋势大于未掺杂的 ZrNx薄膜，结构的变化导致
ZrNx:Cr 薄 膜 的 离 子 传 导 性 能 有 所 下 降 ， 电 化 学 窗 口 变 小 ， 从 而 使ZrNx/WO3/ITO/Glass 器件的光学调节范围缩小。
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制备及其Cr掺杂性能的研究
天津市兰力科化学电子高技术有限公司
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OLED中超精细分散极限值检测方案(研磨机)
OLED基板的封装是直接影响模组寿命的关键因素之一。除了在封装过程中必需的环境条件，封装的方法之外，对于封装材的要求也有着比较高的要求。一旦封装材在固化后出现稳定性不佳，厚度不均导致变形等问题，将会直接造成成品基板良率降低。别是对于此类含有颗粒状物质的胶材，由于颗粒的特殊性质造成结块、凝胶而往往分布不均。直接影响到整个工艺的品质。此外，由于封装材料本身含有粘度较高的胶体类，普通的分散设备作用效果往往是比较有限的。因此才考虑使用具有较高剪切力，能应对中高粘度的三辊机来对此类浆料进行加工。
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超精细分散极限值
上海人和科学仪器有限公司
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半导体器件中元素构成分析检测方案(X射线能谱仪)
Introduction
Application Note
As semiconductor devices continue to decrease in size to improve performance and take advantage of
advances in fabrication techniques, there is a need to analyse both their structure and chemistry at ever
increasing resolution. Typically this requires the use of TEM for metrology and failure analysis. Using ultrahigh
resolution FEG-SEM, low kV imaging and the new X-Max® Extreme EDS detector we demonstrate
the ability to retain some of this high resolution analysis in the SEM. This allows for better targeting of
resources and increased throughput of analysis.
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元素构成分析
牛津仪器科技（上海）有限公司
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半导体器件样品中完全表征检测方案(X射线能谱仪)
Introduction
In Transmission Electron Microscopy (TEM) there are two ‘go to’ techniques for elemental analysis: Energy
Dispersive X-ray Spectroscopy, (EDS), and Electron Energy Loss Spectroscopy, (EELS).
EDS is a mature technique that can be used for most specimens. The intensity of generated X-rays
is proportional to the mass thickness of the sample. However, this can become a limitation for very
thin specimens or those comprising light elements. On the other hand, EELS is more suitable for thin
samples where the thickness is less than the inelastic mean free path of electrons in the material. EELS
does, however, give high signal to noise for light elements. Simultaneous acquisition of both signals is a
powerful tool for materials analysis.
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完全表征
牛津仪器科技（上海）有限公司
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半导体引线框架镀层中铅检测方案(激光诱导击穿)
人体血液中的铅( Pb )与严重的神经、行为和发育问题有关，在幼儿身上尤其如此。因此，欧盟通过了《限制有害物质指令》，禁止在电子产品中使用超过规定浓度的铅、镉、汞、铬( VI )、多溴联苯( PBB )和多溴联苯醚( PBDEs )。RoHS指令为电子设备和设备建立了1000ppm的Pb的最大允许浓度限值。 由于全球各地的制造商必须遵守其电子产品的有害物质限制规定，因此产品制造商及其供应链必须确定合适的分析仪器，以便对诸如铅等有害元素进行检测，因而灵敏度和准确度都很高。
目前，电感耦合等离子体光学和原子发射光谱（ICP-OES和ICP-AES）在业界被用作RoHS一致性验证的分析方法。 然而，ICP-OES需要在分析之前进行固体样品的复杂和耗时的酸溶解，以及重要的科学专业知识来执行分析。这使得ICP-OES不能作为一种快速的Pb监测技术，用于大量样品的质量控制。XRF近年来也用于监测成品中的铅。这种方法虽然方便，但其在为薄而小样品提供精确和精确的浓度测定方面面临着挑战。因此，XRF仅用于筛选RoHS元素，而不是用于最终确定元素含量。LIBS，LA-IC-PMS和ICP-OES在大多数样品上显示非常相似的结果
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铅
北京富尔邦科技发展有限责任公司
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III-V族半导体中厚度，光学常数检测方案(椭偏仪)
The high accuracy characterisation of the thicknesses and optical properties of III-V semiconductors has been successfully performed using the UVISEL Spectroscopic Phase Modulated Ellipsometer. Moreover, Spectroscopic Ellipsometry can be applied to characterise multilayers of miscellaneous binary, ternary semiconductors and alloys (MQW structure, PIN structure, pump laser, laser semiconductor,…).
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厚度，光学常数
HORIBA（中国）
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有机半导体中光学常数检测方案(椭偏仪)
When compared with other optical metrology instruments the unique strengths of spectroscopic ellipsometers are based on their highly precise and simple experimental measurements plus physical and material information derived from optical constants characterization.
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光学常数
HORIBA（中国）
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封装应用中的势垒层中过程控制检测方案(椭偏仪)
The UVISEL FUV combines high-speed acquisition, high accuracy and versatility with a straightforward recipe mode for automated tasks. This powerful combination allows the UVISEL spectroscopic ellipsometer to be used for monitoring the production of barrier coatings for packaging applications in real time.
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过程控制
HORIBA（中国）
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ZrV2O7中同性负膨胀检测方案(热膨胀仪)
ZrV2O7是一种众所周知的各向同性负热膨胀（NTE）材料。然而，只有在375K以上的高温下才能观察到ZrV2O7的热膨胀性能。本文报道了一种简便的方法，通过Mo部分取代V原子，打破ZrV2O7的超结构，实现室温下ZrV2O7的NTE性能。通过高分辨同步辐射x射线衍射、中子粉末衍射和高压拉曼光谱分析，揭示了其详细的结构信息和相变过程。用LINSEIS-DIL-L75膨胀计在5K/min的升温和降温速率下测量了圆柱形试样的相对长度变化。结果表明，Mo的加入使V-O2-V/Mo的夹角从160°扩展到180°，从而使室温下的NTE性能得到改善。与大多数以低能声子为主的开放框架结构不同，这里发现一些高能声子模具有负的Gruneisen参数，并且有助于负的热膨胀。
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同性负膨胀
德国林赛斯热分析
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硅材料中Mn元素检测方案(ICP-AES)
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Mn等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
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Mn元素
聚光科技（杭州）股份有限公司
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硅材料中Ti元素检测方案(ICP-AES)
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ti等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
检测样品：
其他
检测项：
Ti元素
聚光科技（杭州）股份有限公司
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