晶圆表面与溶液中微粒静电作用

：：：SurPASS 应用报告：：： ReferenceD. Jan， S. Raghavan， J. Electrochem.Soc. 141 (1994)2465-2469www.anton-paar.comA48IA29-B 晶圆表面与溶液中微粒静电作用 清洁：：： ：：： Zeta电位是一项说明固体表面对颗粒吸引或是排斥的重要指标. 在半导体晶圆清洁中，化学机械机光(CMP)是-个通用的工艺流程。CMP所用抛光液中微粒与晶圆表面相互作用主要是静电力导致。CMP之后微粒与晶片显示相反的表面电荷，这导致晶片表面对微粒有引力和吸附力，同时相同电荷可以增强固体间静电排斥。 因此，了解固体表面电荷性质对于优化CMP工艺非常重要。 氮化硅晶片暴露在聚苯乙烯颗粒环境里，为了解释pH在晶片表面电荷行为的高影响力，并以此研究它对带电微粒有吸引或排斥情况。清洁之后聚合物颗粒依然在晶片表面上，此时计算数值并将其与晶片表面的zeta电位相比较。 pH较高时，晶片表面为负电荷并且微粒也带同样的负电，二者具有强的斥力。随着pH降低， zeta电位数值也开始变小，因此晶片更容易吸引微粒与其附着。 经过处理的氮化硅的IEP点为pH 3.7，晶片上的微粒数迅速增加，这也肯定了带相反电荷的物体之间具有强的吸引力。 氮化硅晶片的zeta电位与聚苯乙烯微粒在晶片表面上数目之间的相互关系。 首先晶片被Piranha溶液清洗后去除表面的污染物。其次， Piranha清洗也引进了Si-O表面基团。