半导体中无机元素，纳米颗粒，有机物，材料组份检测方案(ICP-MS)
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户，我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务，包括电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、原子吸收光谱仪（AAS）、气相色谱（GC），气相色谱质谱仪（GC-MS）, 傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR），紫外可见光谱仪（UV），热分析（TA）等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中，珀金埃尔默提供了强大的分析工具，与无与伦比的分析速度和理想的结果。
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光刻胶中金属杂质检测方案(ICP-MS)
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰，否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中，只需用合适的溶剂将光刻胶样品（30% 树脂）稀释10 倍，然后即可利用 7500cs 直接进行分析
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半导体行业级超纯水中超痕量钾及其他元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的39K 的 BEC 为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
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高纯硅样品中磷和钛检测方案(ICP-MS)
Agilent 8800 ICP-MS/MS（采用 MS/MS 模式）可以准确、高效地测定不同浓度（30 ppm 和 2000 ppm）高纯硅基质中的 P、Ti 和其他痕量元素。所有元素的 BEC 和 DL 都非常低，MS/MS 模式可以确保将目标产物离子与其他分析物生成的潜在干扰产物离子分离。这是 8800 ICP-MS/MS 的 MS/MS 模式所独有的功能。即使在使用超低流量雾化器的条件下，仍然可以获得优异的灵敏度和超低的检测限，对于 2000 ppm Si 基质样品可连续测定超过 3 小时，表明仪器具有出色的信号稳定性。
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超纯水中超痕量钾及其他元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+ 的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3 作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的 39K 的 BEC为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
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半导体级四甲基氢氧化铵 (TMAH)中多元素 NP检测方案(ICP-MS)
使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS，在多元素 spICP-MS 模式下，对 1% TMAH 中的多元素纳米颗粒进行了测定和表征。对于半导体级化学品中的多元素 NP 分析，MS/MS 方法可实现低背景、高灵敏度和干扰控制。使用专门开发的快速多元素纳米颗粒分析软件，在一次样品采集中获得 Ag、Al2O3、Fe3O4、Au 和 SiO2 NP 的多元素数据并组合到一个结果表中。该表格提供关于含各种实测元素的纳米颗粒的全面信息。结果表明，在溶液中含有大颗粒（如200 nm SiO2 NP）的情况下仍可测量小颗粒（如 30 nm Fe3O4NP）。1% TMAH 溶液中的 Al2O3和 SiO2 NP 的粒径和颗粒浓度在 10 小时内稳定不变，而 Fe3O4和 Ag NP 的颗粒浓度随时间逐渐减小。这一结果表明，TMAH 溶液中的 Fe3O4和 Ag NP 应在配制好后尽快测量。1% TMAH 中 Fe3O4 NP 的粒径稳定不变，而 NP 浓度随时间的变化还需要进一步的研究。本研究表明，利用 spICP-MS 能够快速准确地测定含有由不同和/或多种元素组成的纳米颗粒的样品。与针对每种 NP 分别采集数据相比，快速多元素纳米颗粒分析软件简化了分析方法并将样品运行时间缩短了 7 分钟。测量的元素越多，节省的时间也就越多。
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超纯半导体级硫酸中痕量元素检测方案(ICP-MS)
使用 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS，成功测定了半导体级 H2SO4 中超痕量水平下的 42 种元素。1/10 稀释的 H2SO4 中，20 ppt 水平（Si 为 2 ppb）下的所有元素均获得了优异的加标回收率，证明8900 ICP-MS/MS 方法适用于高纯度工艺化学品的常规分析。
使用 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下采用适当反应池气体条件，避免了质谱干扰问题的出现，这些干扰会阻碍 ICP-QMS 对某些关键元素的测量。8900 ICP-MS/MS 的轴向加速功能明显提高了测定 Ti、Zn 和 P 等原子所需的子离子灵敏度。9.8% H2SO4中的几乎所有分析物均获得了亚 ppt 级 DL 和 BEC。
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20% 甲醇中硅、磷和硫检测方案(ICP-MS)
与常规四极杆 ICP-MS 系统相比，使用Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪检测有机基质中挑战性的元素硅、磷和硫具有明显的消干扰和灵敏度优势。8800 通过 MS/MS 模式实现了上述优异性能，其中第一个四极杆只允许分析物离子和其它具有相同质荷比的干扰离子通过。通过排除全部非目标质量数，使池内的反应化学高度受控并且保持一致，实现高效并可预测的干扰消除。Q1 还能排除与分析物质量数不同但可能对分析物池内反应产物离子产生重叠干扰的所有离子，从而大大改善了使用质量数偏移的反应气模式的准确度和可靠性。另外，8800 的高灵敏度和低背景使检出限比四极杆 ICP-MS 更好，即使是在单四极杆模式下操作亦是如此。
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高纯硝酸中痕量金属杂质检测方案(ICP-MS)
在 MS/MS 模式下运行的 Agilent 8900 ICP-MS/MS 能够提供高纯度硝酸中超痕量元素分析所需的灵敏度、低背景以及对干扰物质的无与伦比的控制。本研究测定了未稀释的高纯 68% HNO3 中亚 ppt 至 ppt 水平的49 种元素。0–40 ppt 之间所有元素的校准曲线都呈线性。高纯 68% HNO3 中的 SEMI 规定元素可在几个 ppt 或亚 ppt 浓度下定量。在持续 6.5 小时的未稀释高纯 68% HNO3 序列中，除P 和 S 之外的所有元素在 30 ppt 加标浓度下的重现性结果为0.4%–5.5% RSD。
该结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 适用于高纯度半导体级试剂和制程化学品的常规分析。
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高纯度过氧化氢中超痕量元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 可使多种元素（包括 SEMI C30-1110 中规定的所有元素以及其他痕量元素）在高纯 35% 过氧化氢中均以亚 ppt 至ppt 级测出。在 0 ppt 至 50 ppt 浓度范围获得了出色的线性校准曲线。几乎所有元素均获得了亚 ppt 级定量结果，其余元素具有几个 ppt 的检测限（除Si 以外，其检测限为 25 ppt）。在持续 3 小时40 分钟的高纯 35% 过氧化氢样品分析序列中，加标分析物在 10 ppt（S 为 100 ppt）浓度下获得了 1.0%–8.1% RSD 的重现性。结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 仪器适用于高纯半导体级试剂和制程化学品的常规分析
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