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半导体引线框架镀层中铅检测方案(激光诱导击穿)

人体血液中的铅( Pb )与严重的神经、行为和发育问题有关,在幼儿身上尤其如此。因此,欧盟通过了《限制有害物质指令》,禁止在电子产品中使用超过规定浓度的铅、镉、汞、铬( VI )、多溴联苯( PBB )和多溴联苯醚( PBDEs )。RoHS指令为电子设备和设备建立了1000ppm的Pb的最大允许浓度限值。 由于全球各地的制造商必须遵守其电子产品的有害物质限制规定,因此产品制造商及其供应链必须确定合适的分析仪器,以便对诸如铅等有害元素进行检测,因而灵敏度和准确度都很高。 目前,电感耦合等离子体光学和原子发射光谱(ICP-OES和ICP-AES)在业界被用作RoHS一致性验证的分析方法。 然而,ICP-OES需要在分析之前进行固体样品的复杂和耗时的酸溶解,以及重要的科学专业知识来执行分析。这使得ICP-OES不能作为一种快速的Pb监测技术,用于大量样品的质量控制。XRF近年来也用于监测成品中的铅。这种方法虽然方便,但其在为薄而小样品提供精确和精确的浓度测定方面面临着挑战。因此,XRF仅用于筛选RoHS元素,而不是用于最终确定元素含量。LIBS,LA-IC-PMS和ICP-OES在大多数样品上显示非常相似的结果
检测样品: 其他
检测项:

北京富尔邦科技发展有限责任公司

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