半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
SINEO新仪MT-581-202106 微波消解半导体薄膜材料 1前言 半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。 2仪器与试剂 2.1仪器 新仪MASTER-18微波消解仪,赶酸器,分析天平(十万分之一)等。 2.2试剂 硝酸(68%),氢氟酸(40%) 3实验方法 精确称取半导体薄膜材料50mg(精确至0.1mg),缓慢滴加8mL硝酸(剧烈反应,释放气体),静置 10min 左寺,待无明显反应后,补加2mL氢氟酸,组装消解罐,按照如下设置参数进行实验: 阶段 温度/℃ 时间/min 功率/W 1 150 10 400 2 180 5 400 3 210 45 400 实验结束后,待冷却至60℃以下,取出消解罐转移至通风橱中缓慢打开,赶酸稀释后,样品可完全消解至澄清透明状态。 4结果 实验选取的半导体薄膜材料样品,取样为50mg,加入硝酸静置后,补加氢氟酸,最高实验温度210℃, 保温 40min 左右,样品可完全消解。 5注意 1)添加氢氟酸进行实验后,需进行赶酸处理,防止氢氟酸对玻璃器皿造成腐蚀,也可能会对实验结果造成影响。 2)添加硝酸后样品反应剧烈,实验过程中应缓慢加入或者分多次加入硝酸,同时实验人员需做好防护。 -- -- 11前言 半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。2仪器与试剂2.1 仪器新仪MASTER-18微波消解仪,赶酸器,分析天平(十万分之一)等。2.2 试剂硝酸(68%),氢氟酸(40%)
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