TEM透射电镜样品：超薄碳膜，STEM积碳样品中有机污染物清除检测方案(表面处理仪)
SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求：1.等离子清洗；2.等离子活化；3.高真空存储。
针对扫描电镜领域，导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）中形成“积碳”的问题；以及在透射电镜领域，有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题，可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前，对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。
离子清洗的工作原理为：RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部；只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面残留的有机污染物发生化学反应，生成CO2，CO，H2O并被真空泵组抽出；最终实现样品成像无积碳之目的，同时提高成像分辨率及衬度。
离子活化原理与离子清洗原理类似，RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面发生作用，提高表面能使之亲水（表面氧原子与水形成氢键，使后者有序平铺）。但样品的表面能量高，处于不稳定状态，故亲水效果不会维持太久（~几十分钟）。
高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为：真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵，可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案，系统能够实现高本底真空度，将样品表面残留气体及污染物抽走，避免样品前处理导致的二次污染问题。
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机械性能
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微电子超纯水应用中总有机碳TOC监测的操作、校准和自动归零的指导
在微电子超纯水（UPW）应用中，水系统中的总有机碳（TOC）浓度极低，通常为亚ppb级。本文介绍如何优化微电子超纯水应用中的在线总有机碳分析，包括操作步骤指导。苏伊士等厂商生产的分析仪，检测限均在0.02至0.03 ppb之间。典型的超纯水系统的TOC浓度在0.2至0.4 ppb之间，或者说仅比分析仪的检测限高一个数量级。当要测量的TOC浓度非常接近分析仪的检测限时，我们可以优化分析仪的性能以获得理想的测量结果，但此时的校准方法必需有别于测量高TOC时所采用的校准方法。
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总有机碳TOC
Sievers分析仪（威立雅）
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半导体级四甲基氢氧化铵 (TMAH)中多元素 NP检测方案(ICP-MS)
使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS，在多元素 spICP-MS 模式下，对 1% TMAH 中的多元素纳米颗粒进行了测定和表征。对于半导体级化学品中的多元素 NP 分析，MS/MS 方法可实现低背景、高灵敏度和干扰控制。使用专门开发的快速多元素纳米颗粒分析软件，在一次样品采集中获得 Ag、Al2O3、Fe3O4、Au 和 SiO2 NP 的多元素数据并组合到一个结果表中。该表格提供关于含各种实测元素的纳米颗粒的全面信息。结果表明，在溶液中含有大颗粒（如200 nm SiO2 NP）的情况下仍可测量小颗粒（如 30 nm Fe3O4NP）。1% TMAH 溶液中的 Al2O3和 SiO2 NP 的粒径和颗粒浓度在 10 小时内稳定不变，而 Fe3O4和 Ag NP 的颗粒浓度随时间逐渐减小。这一结果表明，TMAH 溶液中的 Fe3O4和 Ag NP 应在配制好后尽快测量。1% TMAH 中 Fe3O4 NP 的粒径稳定不变，而 NP 浓度随时间的变化还需要进一步的研究。本研究表明，利用 spICP-MS 能够快速准确地测定含有由不同和/或多种元素组成的纳米颗粒的样品。与针对每种 NP 分别采集数据相比，快速多元素纳米颗粒分析软件简化了分析方法并将样品运行时间缩短了 7 分钟。测量的元素越多，节省的时间也就越多。
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光刻胶中金属杂质检测方案(ICP-MS)
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰，否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中，只需用合适的溶剂将光刻胶样品（30% 树脂）稀释10 倍，然后即可利用 7500cs 直接进行分析
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半导体中电路板胶水、试电路板污染物、热膨胀系数等检测方案(ICP-MS)
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户，我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务，包括电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、原子吸收光谱仪（AAS）、气相色谱（GC），气相色谱质谱仪（GC-MS）, 傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR），紫外可见光谱仪（UV），热分析（TA）等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中，珀金埃尔默提供了强大的分析工具，与无与伦比的分析速度和理想的结果。
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电路板胶水、试电路板污染物、热膨胀系数等
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高纯度过氧化氢中超痕量元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 可使多种元素（包括 SEMI C30-1110 中规定的所有元素以及其他痕量元素）在高纯 35% 过氧化氢中均以亚 ppt 至ppt 级测出。在 0 ppt 至 50 ppt 浓度范围获得了出色的线性校准曲线。几乎所有元素均获得了亚 ppt 级定量结果，其余元素具有几个 ppt 的检测限（除Si 以外，其检测限为 25 ppt）。在持续 3 小时40 分钟的高纯 35% 过氧化氢样品分析序列中，加标分析物在 10 ppt（S 为 100 ppt）浓度下获得了 1.0%–8.1% RSD 的重现性。结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 仪器适用于高纯半导体级试剂和制程化学品的常规分析
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半导体中无机元素，纳米颗粒，有机物，材料组份检测方案(ICP-MS)
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户，我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务，包括电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、原子吸收光谱仪（AAS）、气相色谱（GC），气相色谱质谱仪（GC-MS）, 傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR），紫外可见光谱仪（UV），热分析（TA）等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中，珀金埃尔默提供了强大的分析工具，与无与伦比的分析速度和理想的结果。
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半导体中界面复合的超快光物理结构检测方案(光纤光谱仪)
使用超快激光进行瞬态吸收光谱测试有许多不同的方法，基本上依据泵浦探针。该方法需要两束激光同时激发分析物并测量吸光度。首先，高强度的泵浦激光激发样品中的部分分子到更高的能级，从而改变了分子的居数差，降低了跃迁的吸收系数。然后，通过低强度的探针激光通测量样品吸收。通过计算有无泵浦激光时探针激光的吸收差值，就可以确定吸收的变化。然后根据泵浦脉冲与探针脉冲的不同延迟时间系统重复此过程，测量发射探针脉冲能量的变化，如图2所示。从这些数据，我们现在可以建立能级跃迁动力学的图像，并确定自发寿命和其他瞬态效应。
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界面复合的超快光物理结构
北京爱万提斯科技有限公司
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高纯硅样品中磷和钛检测方案(ICP-MS)
Agilent 8800 ICP-MS/MS（采用 MS/MS 模式）可以准确、高效地测定不同浓度（30 ppm 和 2000 ppm）高纯硅基质中的 P、Ti 和其他痕量元素。所有元素的 BEC 和 DL 都非常低，MS/MS 模式可以确保将目标产物离子与其他分析物生成的潜在干扰产物离子分离。这是 8800 ICP-MS/MS 的 MS/MS 模式所独有的功能。即使在使用超低流量雾化器的条件下，仍然可以获得优异的灵敏度和超低的检测限，对于 2000 ppm Si 基质样品可连续测定超过 3 小时，表明仪器具有出色的信号稳定性。
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半导体行业级超纯水中超痕量钾及其他元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的39K 的 BEC 为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
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半导体中热重分析检测方案(同步热分析仪)
热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常，过程工程师将面临以下问题：
a）特定化合物的工艺窗口是什么？
b）如何控制这个过程？
c）优化的固化条件是什么？
d）如何缩短循环时间？
珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。
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热重分析
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仪器信息网行业应用栏目为您提供88篇集成电路检测方案，可分别用于，参考标准主要有等