硝酸中Na检测方案(等离子体质谱)
任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物，这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
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Na
珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司
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III-V族半导体中厚度，光学常数检测方案(椭偏仪)
The high accuracy characterisation of the thicknesses and optical properties of III-V semiconductors has been successfully performed using the UVISEL Spectroscopic Phase Modulated Ellipsometer. Moreover, Spectroscopic Ellipsometry can be applied to characterise multilayers of miscellaneous binary, ternary semiconductors and alloys (MQW structure, PIN structure, pump laser, laser semiconductor,…).
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厚度，光学常数
HORIBA（中国）
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半导体器件样品中完全表征检测方案(X射线能谱仪)
Introduction
In Transmission Electron Microscopy (TEM) there are two ‘go to’ techniques for elemental analysis: Energy
Dispersive X-ray Spectroscopy, (EDS), and Electron Energy Loss Spectroscopy, (EELS).
EDS is a mature technique that can be used for most specimens. The intensity of generated X-rays
is proportional to the mass thickness of the sample. However, this can become a limitation for very
thin specimens or those comprising light elements. On the other hand, EELS is more suitable for thin
samples where the thickness is less than the inelastic mean free path of electrons in the material. EELS
does, however, give high signal to noise for light elements. Simultaneous acquisition of both signals is a
powerful tool for materials analysis.
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完全表征
牛津仪器科技（上海）有限公司
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ZRNx快离子导体薄膜中制备及其Cr掺杂性能的研究检测方案(电化学工作站)
全固态电致变色器件的实用化研究一直是该领域的研究热点。电致变色器件
全固态化的关键是采用合适的快离子导体（有时亦称固体电解质）作为器件的离子传导层。目前，用于电致变色器件的快离子导体仍以固态聚合物电解质为主，然而，聚合物电解质存在易老化、机械强度差、工业化生产难度较大等缺点。无机快离子导体是最有希望用于全固态电致变色器件的离子导体材料。本实验室前期研究结果表明，在合适的工艺参数下制备的 ZrNx薄膜具有高的透过率、良好的热稳定性、耐磨性和化学稳定性，适合于作为电致变色器件的离子导体层。 到目前为止，制备离子导体薄膜最常用的方法有溶胶－凝胶法、真空蒸发法、化学气相沉积法和溅射沉积法等，其中磁控溅射以沉积速率高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易控制等优点而日益成为制备离子导体薄膜的理想工艺方法。
因此本文以纯锆靶及纯铬靶为靶材，采用反应磁控溅射工艺在 WO3/ITO/Glass
基片上沉积 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜，通过紫外－可见分光光度计、循环伏安法、交流阻抗法、X 射线衍射仪、热场发射扫描电镜以及扫描隧道显微镜等测试分析方法，研究了制备工艺参数以及 Cr 掺杂对 ZrNx薄膜离子导电性能和结构的影响 。
研究结果表明：采用射频反应磁控溅射工艺制备的 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜
均为非晶态结构，溅射功率和氮气分量等工艺参数对薄膜的离子导电性能有较大影响，选择合适的氮分量和溅射功率有助于提高 ZrNx薄膜的离子导电性能，在本实验的条件下，原位沉积 ZrNx薄膜的可见光透过率大于 75％,ZrNx/WO3/ITO/Glass器件的光学调节范围最大可达 57％以上，在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。
掺杂后的 ZrNx:Cr 薄膜，晶态趋势大于未掺杂的 ZrNx薄膜，结构的变化导致
ZrNx:Cr 薄 膜 的 离 子 传 导 性 能 有 所 下 降 ， 电 化 学 窗 口 变 小 ， 从 而 使ZrNx/WO3/ITO/Glass 器件的光学调节范围缩小。
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制备及其Cr掺杂性能的研究
天津市兰力科化学电子高技术有限公司
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电子半导体中形态分析检测方案(扫描电镜)
Flexibility in selecting and using operating parameters (accelerating voltage, specimen tilt, scan line time, etc) as well as correct analytical procedures are needed to obtain the maximum information when examining semiconductors and microelectronic devices.
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形态分析
北京天耀科技有限公司
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硅材料中Ti元素检测方案(ICP-AES)
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ti等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
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Ti元素
聚光科技（杭州）股份有限公司
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OLED中超精细分散极限值检测方案(研磨机)
OLED基板的封装是直接影响模组寿命的关键因素之一。除了在封装过程中必需的环境条件，封装的方法之外，对于封装材的要求也有着比较高的要求。一旦封装材在固化后出现稳定性不佳，厚度不均导致变形等问题，将会直接造成成品基板良率降低。别是对于此类含有颗粒状物质的胶材，由于颗粒的特殊性质造成结块、凝胶而往往分布不均。直接影响到整个工艺的品质。此外，由于封装材料本身含有粘度较高的胶体类，普通的分散设备作用效果往往是比较有限的。因此才考虑使用具有较高剪切力，能应对中高粘度的三辊机来对此类浆料进行加工。
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超精细分散极限值
上海人和科学仪器有限公司
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半导体器件中元素构成分析检测方案(X射线能谱仪)
Introduction
Application Note
As semiconductor devices continue to decrease in size to improve performance and take advantage of
advances in fabrication techniques, there is a need to analyse both their structure and chemistry at ever
increasing resolution. Typically this requires the use of TEM for metrology and failure analysis. Using ultrahigh
resolution FEG-SEM, low kV imaging and the new X-Max® Extreme EDS detector we demonstrate
the ability to retain some of this high resolution analysis in the SEM. This allows for better targeting of
resources and increased throughput of analysis.
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其他
检测项：
元素构成分析
牛津仪器科技（上海）有限公司
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有机半导体中光学常数检测方案(椭偏仪)
When compared with other optical metrology instruments the unique strengths of spectroscopic ellipsometers are based on their highly precise and simple experimental measurements plus physical and material information derived from optical constants characterization.
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其他
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光学常数
HORIBA（中国）
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仪器信息网行业应用栏目为您提供236篇其他检测方案，可分别用于，参考标准主要有等