高纯硅样品中磷和钛检测方案(ICP-MS)
Agilent 8800 ICP-MS/MS（采用 MS/MS 模式）可以准确、高效地测定不同浓度（30 ppm 和 2000 ppm）高纯硅基质中的 P、Ti 和其他痕量元素。所有元素的 BEC 和 DL 都非常低，MS/MS 模式可以确保将目标产物离子与其他分析物生成的潜在干扰产物离子分离。这是 8800 ICP-MS/MS 的 MS/MS 模式所独有的功能。即使在使用超低流量雾化器的条件下，仍然可以获得优异的灵敏度和超低的检测限，对于 2000 ppm Si 基质样品可连续测定超过 3 小时，表明仪器具有出色的信号稳定性。
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光刻胶中金属杂质检测方案(ICP-MS)
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰，否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中，只需用合适的溶剂将光刻胶样品（30% 树脂）稀释10 倍，然后即可利用 7500cs 直接进行分析
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超纯水中超痕量钾及其他元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+ 的存在，其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下，采用 NH3 作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的 39K 的 BEC为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势，其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池，从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此，Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq，所有其他元素（包括Ca、Fe 和 Ni）的 BEC < 150 ppq。
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超纯半导体级硫酸中痕量元素检测方案(ICP-MS)
使用 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS，成功测定了半导体级 H2SO4 中超痕量水平下的 42 种元素。1/10 稀释的 H2SO4 中，20 ppt 水平（Si 为 2 ppb）下的所有元素均获得了优异的加标回收率，证明8900 ICP-MS/MS 方法适用于高纯度工艺化学品的常规分析。
使用 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下采用适当反应池气体条件，避免了质谱干扰问题的出现，这些干扰会阻碍 ICP-QMS 对某些关键元素的测量。8900 ICP-MS/MS 的轴向加速功能明显提高了测定 Ti、Zn 和 P 等原子所需的子离子灵敏度。9.8% H2SO4中的几乎所有分析物均获得了亚 ppt 级 DL 和 BEC。
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20% 甲醇中硅、磷和硫检测方案(ICP-MS)
与常规四极杆 ICP-MS 系统相比，使用Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪检测有机基质中挑战性的元素硅、磷和硫具有明显的消干扰和灵敏度优势。8800 通过 MS/MS 模式实现了上述优异性能，其中第一个四极杆只允许分析物离子和其它具有相同质荷比的干扰离子通过。通过排除全部非目标质量数，使池内的反应化学高度受控并且保持一致，实现高效并可预测的干扰消除。Q1 还能排除与分析物质量数不同但可能对分析物池内反应产物离子产生重叠干扰的所有离子，从而大大改善了使用质量数偏移的反应气模式的准确度和可靠性。另外，8800 的高灵敏度和低背景使检出限比四极杆 ICP-MS 更好，即使是在单四极杆模式下操作亦是如此。
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高纯硝酸中痕量金属杂质检测方案(ICP-MS)
在 MS/MS 模式下运行的 Agilent 8900 ICP-MS/MS 能够提供高纯度硝酸中超痕量元素分析所需的灵敏度、低背景以及对干扰物质的无与伦比的控制。本研究测定了未稀释的高纯 68% HNO3 中亚 ppt 至 ppt 水平的49 种元素。0–40 ppt 之间所有元素的校准曲线都呈线性。高纯 68% HNO3 中的 SEMI 规定元素可在几个 ppt 或亚 ppt 浓度下定量。在持续 6.5 小时的未稀释高纯 68% HNO3 序列中，除P 和 S 之外的所有元素在 30 ppt 加标浓度下的重现性结果为0.4%–5.5% RSD。
该结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 适用于高纯度半导体级试剂和制程化学品的常规分析。
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高纯度过氧化氢中超痕量元素检测方案(ICP-MS)
采用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 可使多种元素（包括 SEMI C30-1110 中规定的所有元素以及其他痕量元素）在高纯 35% 过氧化氢中均以亚 ppt 至ppt 级测出。在 0 ppt 至 50 ppt 浓度范围获得了出色的线性校准曲线。几乎所有元素均获得了亚 ppt 级定量结果，其余元素具有几个 ppt 的检测限（除Si 以外，其检测限为 25 ppt）。在持续 3 小时40 分钟的高纯 35% 过氧化氢样品分析序列中，加标分析物在 10 ppt（S 为 100 ppt）浓度下获得了 1.0%–8.1% RSD 的重现性。结果证明 Agilent 8900 半导体配置 ICP-MS/MS 仪器适用于高纯半导体级试剂和制程化学品的常规分析
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半导体中电路板胶水、试电路板污染物、热膨胀系数等检测方案(ICP-MS)
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户，我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务，包括电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、原子吸收光谱仪（AAS）、气相色谱（GC），气相色谱质谱仪（GC-MS）, 傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR），紫外可见光谱仪（UV），热分析（TA）等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中，珀金埃尔默提供了强大的分析工具，与无与伦比的分析速度和理想的结果。
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电路板胶水、试电路板污染物、热膨胀系数等
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半导体中热重分析检测方案(同步热分析仪)
热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常，过程工程师将面临以下问题：
a）特定化合物的工艺窗口是什么？
b）如何控制这个过程？
c）优化的固化条件是什么？
d）如何缩短循环时间？
珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。
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热重分析
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半导体材料，光电材料，二维纳米材料中高低温环境下的光电性能检测方案(探针台)
HCP621G-PM高低温光电测量系统是新一代探针式的专业系统，该系统采用平行板电容器原理并严格按国际标准设计开发，测试样品既可以是薄膜材料也可以是块体材料，极大地满足了用户的需要，不仅可以实现对样品材料的测量，还可以结合开关切换模块实现单样三样品材料的测量样，变温探针夹具可以实现-190°C~600°C的变温环境，以满足科研多样化的需求。光电测量系统可以直接测量样品的介电常数和介电损耗随温度、频率、时间、偏压等变化的曲线，可以测量阻抗和相位角随温度、频率、偏压、时间等变化的曲线，同时还可以实时保存测量数据等，广泛应用于高校科研院所和企业单位，得到了广大用户的充分认可和信任。
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高低温环境下的光电性能
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半导体中界面复合的超快光物理结构检测方案(光纤光谱仪)
使用超快激光进行瞬态吸收光谱测试有许多不同的方法，基本上依据泵浦探针。该方法需要两束激光同时激发分析物并测量吸光度。首先，高强度的泵浦激光激发样品中的部分分子到更高的能级，从而改变了分子的居数差，降低了跃迁的吸收系数。然后，通过低强度的探针激光通测量样品吸收。通过计算有无泵浦激光时探针激光的吸收差值，就可以确定吸收的变化。然后根据泵浦脉冲与探针脉冲的不同延迟时间系统重复此过程，测量发射探针脉冲能量的变化，如图2所示。从这些数据，我们现在可以建立能级跃迁动力学的图像，并确定自发寿命和其他瞬态效应。
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界面复合的超快光物理结构
北京爱万提斯科技有限公司
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微电子超纯水应用中总有机碳TOC监测的操作、校准和自动归零的指导
在微电子超纯水（UPW）应用中，水系统中的总有机碳（TOC）浓度极低，通常为亚ppb级。本文介绍如何优化微电子超纯水应用中的在线总有机碳分析，包括操作步骤指导。苏伊士等厂商生产的分析仪，检测限均在0.02至0.03 ppb之间。典型的超纯水系统的TOC浓度在0.2至0.4 ppb之间，或者说仅比分析仪的检测限高一个数量级。当要测量的TOC浓度非常接近分析仪的检测限时，我们可以优化分析仪的性能以获得理想的测量结果，但此时的校准方法必需有别于测量高TOC时所采用的校准方法。
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Sievers分析仪（威立雅）
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TEM透射电镜样品：超薄碳膜，STEM积碳样品中有机污染物清除检测方案(表面处理仪)
SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求：1.等离子清洗；2.等离子活化；3.高真空存储。
针对扫描电镜领域，导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）中形成“积碳”的问题；以及在透射电镜领域，有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题，可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前，对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。
离子清洗的工作原理为：RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部；只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面残留的有机污染物发生化学反应，生成CO2，CO，H2O并被真空泵组抽出；最终实现样品成像无积碳之目的，同时提高成像分辨率及衬度。
离子活化原理与离子清洗原理类似，RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面发生作用，提高表面能使之亲水（表面氧原子与水形成氢键，使后者有序平铺）。但样品的表面能量高，处于不稳定状态，故亲水效果不会维持太久（~几十分钟）。
高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为：真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵，可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案，系统能够实现高本底真空度，将样品表面残留气体及污染物抽走，避免样品前处理导致的二次污染问题。
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深圳市速普仪器有限公司
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