高纯CeO2中Pr、Gd等14种痕量稀土杂质检测方案(质谱部件)
摘要：研究了不经基体分离，膜去溶一ICP MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法，讨论了ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰，并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析，同时建立了Pr，Gd，rrb和Yb数学校正方程。通过使用膜去溶雾化器和优化ICP．MS参数，消除了Cel ，CeO2 和CeO2H 产生的质谱干扰，将CeO／Ce产率降为0．008％ ，同时结合数学校正方程彻底消除了CeO ，CeOH 和CeOH2 的质谱干扰。Pr，Gd，，rb和Yb的方法测定下限分别为0．08，0．1，0．15和0．008 g·g～ ，l4种稀土杂质方法测定下限和为0．75 g·g一。99．999％高纯CeO2实际样品测定加标回收率为96％ ～103％ ，RSD为1．2％ ～4．3％ 。
关键词：高纯CeO ；膜去溶；数学校正；ICP．MS；多原子离子干扰；稀土
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含量分析
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铑灰中微波消解前处理检测方案(微波消解仪)
铑是一种银白色、坚硬的金属，具有高反射率。铑金属通常不会形成氧化物，熔融的铑会吸收氧气，但在凝固的过程中释放。钌、铑、钯、锇、铱、铂6个元素在地壳中的含量都非常少。这6个元素在化学上称作铂族元素，加上银和金，统称为贵金属。除了铂在地壳中的含量为亿分之五、钯在地壳中的含量为亿分之一外，钌、铑、锇、铱4个元素在地壳中的含量都只有十亿分之一。又由于它们多分散于各种矿石之中，很少形成大的聚集，所以价格昂贵。为了提取铑灰中的铑元素，我们采用微波消解的方法对铑灰样品进行前处理，ICP-MS进行后续的检测，通过铑元素的回收情况，选择最佳的消解参数。
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贮氢合金V3 TiNi0. 56Cr x中放电性能和吸放氢性能研究检测方案(电化学工作站)
以V2O5 、TiO2 等原料,用自蔓延高温合成法制备了钒基贮氢合金V3 TiNi0. 56 Cr x ( x = 0. 1 、0. 3) ,用EDXRF、XRD 等方法分析了合金的组织成分,用LK98B Ⅱ微机电化学分析系统、PCT 测试仪分别测试了合金的充放电性能和吸放氢性能。结果表明:随Cr含量的增加,合金放电容量和吸氢量均降低;气态放氢平台的宽度变窄、倾斜度增加;电化学放电平台电压和气态放氢平台压力均增加;循环稳定性提高。
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理化分析
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锰铁合金中B、Pb、Bi、Zn、Mn、P、Cr、Ti元素检测方案(ICP-AES)
相关元素采用的分析方法主要有重量法、滴定法、分光光度法和原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法等，但或者含量范围不合适、准确度相对较差，所有试剂危害较大，或者分析速度太慢、基体匹配度要求太高等，均不能同时满足要求。电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）因其具有灵敏度高、检出限低、精密度好、正确度高、干扰水平低、分析速度快、多元素同时测定等特点，已得到广泛应用。本文采用ICP-OES测定锰铁合金中硼、铅、铋、锌、锰、磷、铬、钛，有效解决了样品分解方法、溶液介质和酸度、共存元素干扰的消除等一系列问题，测定结果满意，可供相关人员参考。
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理化分析
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CuZnAl（Dy、Gd）形状记忆合金中组织及性能研究检测方案(电化学工作站)
本文采用铸造方法制备CuZnAl（Dy、Gd）形状记忆合金，通过光学显微组织观察、扫描电子显微分析、x射线衍射分析、DSC测量相变温度、形状记忆回复率测定、化学浸泡腐蚀试验、动电位极化试验等方法较为系统研究了合金的微观组织结构、相变行为、形状记忆效应和耐腐蚀性能，揭示了稀土元素Dy和Gd对CuZnAl合金组织和性能的影响规律和机理。研究表明，稀土元素Dy和Gd在合金中形成细小弥撒的球状富稀土相，有效细化合金铸态显微组织，并在固溶处理过程中抑制晶粒长大。合金中稀土含量达0.08wt.％以后，铸态晶粒尺寸由原来的0.52mm降到0.30mm以下，合金断裂方式由脆性断裂转变为延性断裂。稀土元素提高合金的相变温度，改善合金的记忆性能。随稀土含量增多，合金形状
记忆回复率提高，Dy含量在0.08wt.％左右、Gd含量在0.08～0.12wt.％
之间时回复率最高。CuZnAl（Dy,Gd）合金在NaCl和NaOH溶液中主要发生均匀腐蚀，抗化学腐蚀性能明显提高。电化学腐蚀测试中，D y和G d提高合金在N a C l溶液中的开路电位，腐蚀电流密度降低10倍左右。
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其他
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机械性能
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仪器信息网行业应用栏目为您提供107篇其他检测方案，可分别用于，参考标准主要有等