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材料中水分,温度,溶剂检测方案(同步热分析仪)
在1887年，Henry Le Chatelier用粘土做了第一个热分析实验，在1899年，WilliamRoberts-Austen进行了第一次差热分析实验。从那时候起，热分析就广泛应用在各类材料的研究实验中，并且研究领域不断拓展。
作为全球热分析仪器的领导者，从我们的角度来看，更优异的性能和更方便的操作是未来非常重要的趋势。通过组合其他技术手段和改进传感器可以获得更加优异性能的仪器。由于几乎无限的软件灵活性，仪器的常规检测操作已被极大地简化。我们提供一系列网络研讨会，课程，手册以及自学课程来进行新操作人员的培训。
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水分,温度,溶剂
梅特勒托利多
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LED中可见光谱检测方案(光纤光谱仪)
为什么要使用光谱仪进行颜色测量？
光谱仪会获得更多信息，而且更具灵活性。事实上，很多客户都是使用光谱仪来进行颜色测量的。
简单的色度仪是使用红、绿、蓝滤光片配合二极管或者感应像元进行颜色测量的，更高级的一些测量系统，是使用模仿CIE颜色匹配指标的三基色滤光片。对于白炽灯检测而言，这些设备足够了，但是如果需要精确测量LED ，这些设备的性能远远不够。
手持式色度仪大概精度为20个波长带宽，这远远不能满足高精确度的测量。
为了进行颜色变化很小的测试，高精度分辨的颜色测量是必须的。为了获取全光谱，使用光谱仪可以获得更精准、更详细的颜色信息。色度仪及分析是基于滤光片或者特征带宽，然后获得颜色信息，但是光谱仪会获得更多的原始光谱信息和颜色信息。
一些颜色分析非常依赖于光源的状况，因为物体会因为不同照度的光源照射显示一定的颜色差。正确使用光源，可以将两个本身反射光谱有差异但是颜色看上去差不多的物体区别开，这就是我们常说的同色异谱。如果光源变化，颜色也肯定不一样，所以对使用光源的控制尤为重要，因为这决定了颜色测量的结果。
当使用光谱仪进行颜色测量时，反射或者辐射光谱数据可以作为所有计算的支撑数据。数据可以通过不同的方式进行计算，另外如果视场角、光源或者色度空间发生变化，还可以基于这些数据对颜色进行重新计算，所以光谱仪实现了在同等精确度颜色测量上最大程度的灵活性。
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可见光谱
海洋光学亚洲公司
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电子产业链用UV 固化胶中固化率检测方案(红外光谱仪)
随着电子设备的普及，液晶显示屏（LCD）应用越来越广泛，LCD 行业快速发展。我国为全球液晶显示器零配件的主要加工基地，发展迅速。UV 固化胶作为液晶显示屏制作中重要材料，固化速度快、无溶剂、生产效率高，主要起到密封、固定金属管脚等作用，广泛应用用电路板行业。UV 固化剂中光引发剂在适当光强的紫外光照射下，迅速分解成自由基或阳离子，不饱和键发生聚合反应，使材料固化。UV 胶固化过程会存在光固化及热固化过程，光固化过程为活性丙烯酸基团聚合反应，而热固化过程为环氧基团聚合反应。两种活性基团反应量越多，固化程度越彻底。
固化程度不仅影响到阻焊性能，同时影响到后续工序的制作难度，故对电路板固化率的了解和控制非常重要。利用红外光谱仪测试反应前后活性基团特征吸收峰的变化来计算固化程度，操作简单，快速方便。依据环氧基团特征吸收峰比例变化来判断热固化率程度，依据丙烯基特征吸收峰比例变化来判断光固化率程度。
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固化率
珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司
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电镀液中S2O32-、SCN-和有机酸的检测方案(离子色谱仪)
S2O32-常使用碘量法进行测定，SCN-则多使用光度法进行测定。对于
甲酸、草酸、酒石酸、柠檬酸这些有机酸则常用高效液相方法进行分析，其中又以离子色谱法（IC）优势最为明显，能同时完成有机酸和无机阴离子的分析。S2O32-和SCN-属于易极化离子，往往需要加入有机改性剂才能保证其在常规离子交换柱上较快分离。朱刚等研究的分离条件使用两元多步梯度，梯度程序复杂。且检测限仅达到mg/L级，对于一些低含量组分无法实现一次进样同时测定，电镀液中常见易极化离子SCN-、S2O32-也未涉及。立足于此，本文首次建立了一种简单易行的离子色谱方法，通过使用淋洗液发生装置，等度泵进行一步梯度分离，同时测定了电镀液中弱保留组分和易极化离子。
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S2O32-、SCN-和有机酸的
赛默飞色谱与质谱
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硅纳米颗粒中荧光各向异性研究检测方案(分子荧光光谱)
Birch, et al., have shown that fluorescence anisotropy-decay in sols with two rotational correlation times can be explained by the existence of silica particles. This interpretation allows monitoring sol-gels in situ with sub-nanometer resolution. Because a fluorophore immobilized in a gel does not de- polarize fluorescence, one can study particle size well after the sol-to-gel transition time, a major advantage over scattering techniques (e.g., with neutrons or X-rays) where gel-scattering distorts the scattering function.
Moreover, the rapid data-acquisition needed to acquire anisotropy-decay data within time-spans as short as a few minutes is aided greatly by the high-repetition rate of the NanoLED excitation sources from HORIBA Jobin Yvon.
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荧光各向异性研究
HORIBA（中国）
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量子点 中荧光寿命检测方案(分子荧光光谱)
The NanoLog® is an indispensable tool for studying fluorescence lifetimes of samples whose luminescence is primarily in the near-IR, such as quantum dots. Other uses for the NanoLog® include solid-state research, biosensing, and cancer studies. The NanoLog® also available with TCSPC multichannel-scaling options of 500 ns/channel and 2 ns/channel, as well as a broadband 5509 photomultiplier tube, sensitive from 300–1700 nm, with a timetransit spread of 1.5 ns.
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荧光寿命
HORIBA（中国）
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平板显示器中荧光检测方案(分子荧光光谱)
This particular investigation of phosphor emission characteristics was made possible by the excellent stray-light reflection, sensitivity, and wide lifetime range of the FLUOROLOG-τ® producing rapid and accurate characterization of the phosphor.
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荧光
HORIBA（中国）
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铁电薄膜PbZr1-xTixO3&BA1-xSrxTiO3中厚度，光学常数，各向异性检测方案(椭偏仪)
Spectroscopic ellipsometry is a powerful technique to characterize the thickness and optical constants of complex ferroelectric stacks with high accuracy and precision.
Specific modelling features in this study include the characterization of the anisotropic sapphire substrate, rough overlayer and layer inhomogeneity with depth.
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厚度，光学常数，各向异性
HORIBA（中国）
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AlxGa1-xNGaN中厚度，光色散检测方案(椭偏仪)
Liquid Crystal Modulation Spectroscopic Ellipsometry is an excellent technique for the highly accurate characterization of the compound semiconductor heterostructure AlGaN / GaN. Using the MM-16 spectroscopic ellipsometer it is a straightforward procedure to determine the film thickness and optical dispersions of the complete structure even where the film is several microns thick.
The detailed knowledge of the optical parameters of AlGaN alloys is crucial for example for the design of opto-electronic devices.
Furthermore, from the optical parameters a calibration curve could be constructed to provide a rapid and efficient determination of the Al content in the AlGaN layers. Thus Spectroscopic Ellipsometry also proves a non-destructive technique for AlGaN alloy composition determination.
This method can be equally applied to other compound semiconductors such as SiGe, II-VI semiconductors or classical III-V semiconductors.
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厚度，光色散
HORIBA（中国）
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纳米级厚度的高k介电材料中厚度，光学常数，纳米级尺寸的界面检测方案(椭偏仪)
Optical characterization techniques proved to be complementary to optimize highmaterials used in microelectronic applications.
This note shows that the VUV wavelength range of the UVISEL Phase Modulated Ellipsometer is particularly suitable for the accurate characterization of high-K film thickness and interfaces with nanoscale dimensions as well as optical properties and bandgap.
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厚度，光学常数，纳米级尺寸的界面
HORIBA（中国）
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GeSb膜中厚度，光学常数检测方案(椭偏仪)
Spectroscopic ellipsometry is a powerful technique for high accuracy characterization of the thickness and optical constants of GeSbTe multilayer systems for rewritable optical disc applications.
It was shown that measurement in the NIR range gives better accuracy for the analysis of these types of material. The use of the multiple sample analysis reduces parameter correlations and errors for the thinnest layers.
Owing to the advanced modelling features included in the DeltaPsi2 software, it is a straightforward procedure to analyze such structures even with layers deposited on both sides of the substrate.
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厚度，光学常数
HORIBA（中国）
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TFT和LTPSTFT-LCD显示器中厚度，光学常数检测方案(椭偏仪)
Spectroscopic ellipsometry is an excellent technique for the highly accurate characterization of TFT-LCD display panels based on a-Si and LTPS technologies. Owing to the sensitivity of the UVISEL spectroscopic ellipsometer and the advanced modeling features included in the DeltaPsi2 software it is possible to detect in a multistack different a-Si layers processed by various methods. Moreover the spectroscopic ellipsometry measurements allow determination of the grain size of p-Si films and illustrate the ability to characterize the crystallinity of
silicon with high accuracy.
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厚度，光学常数
HORIBA（中国）
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PDP等离子体显示屏中厚度，光学常数检测方案(椭偏仪)
For multilayer structures it is always helpful and often necessary to know the properties of each film. Using the Jobin Yvon UVISEL NIR it is a straightforward procedure to investigate the thickness and optical properties of the complete PDP structure.
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厚度，光学常数
HORIBA（中国）
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TFT-LCD显示屏中膜厚度，光学性能，掺杂的影响，各向异性层检测方案(椭偏仪)
Phase Modulated Spectroscopic Ellipsometry is an excellent technique for the highly accurate characterization of complete TFT-LCD device. The technique allows the determination of film thickness, optical properties but also more complex properties such as graded or anisotropic layers and effect of dopants.
In the flat panel industry the pressure to reduce manufacturing costs is and reliable metrology tools are required to control the different steps of the process. Spectroscopic ellipsometry is a non destructive technique which presents advanced capabilities and proven reliability tailored for qualification and on-line production control.
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膜厚度，光学性能，掺杂的影响，各向异性层
HORIBA（中国）
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仪器信息网行业应用栏目为您提供464篇其他检测方案，可分别用于物理性质检测、化学性质检测、特性检测、功能性测试检测、其它检测，参考标准主要有等