上海伯东 IBE离子束刻蚀（离子铣）基本原理与应用介绍

      在半导体制程工艺中，刻蚀（Etch）是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分，以化学反应或物理作用的形式加以去除，完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀（Wet Etching）和干刻蚀（Dry Etching）。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺，即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后，将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种：PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。应用器件刻蚀材料磁性器件磁头，磁流变传感器，其他硬碟磁头，磁流变/磁流变传感器，自旋电子器件Ni-Fe, Ni-Co, Co-Fe电极层(Ti/Pt/Au)传感器Pt薄膜热传感器，红外传感器,燃油质量传感器，空气流量传感器，应变传感器NiCr, PZT, W, Ta电极层(Ti/Pt/Au)射频器件射频滤波器，GaAs/GaN HEMT，薄膜金属化衬底Ru, Cr, LiTaO3电极层(Ti/Pt/Au)光学器件激光二极管，光电二极管，薄膜组件，LN调制器GaN, LiNbO3电极层(Ti/Pt/Au)其他应用探针，氧化物半导体，超导体NiCr, Cr, Cu, PdLuFe2O4, SrTiO4       IBE离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的主要用来金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的刻蚀。与PE等离子体刻蚀和RIE反应离子体刻蚀工艺相比，IBE刻蚀具有刻蚀惰性金属和氧化的独特优势，适合以下应用：上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络 上海伯东: 罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！