上海伯东 KRI 离子源用于镀制1064nm窄带滤光片激光膜

       1064nm 窄带滤光片是在各类玻璃材质表面通过特殊的镀膜工艺而形成的光学元件, 可以从入射光中选取任意所需求的波长, 半峰值一般在 5nm~50nm之间, 具有波长定位准确、透过高、截止深、温漂小、耐用性好、光洁度好的特点, 是激光设备应用中常见的滤光片解决方案.       1064nm 窄带滤光片使用在各种特殊的场合和恶劣的气候环境, 要求滤光片在苛刻的使用条件下有良好的性能, 故膜层的牢固度和技术指标稳定性非常重要. 这些性能包括:大口径面积内膜层均匀性好、透射率要求高、膜层牢固度高、中心波长稳定性好(零漂移)等. 上海伯东某客户采用采用光学镀膜机加装美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380辅助沉积镀制 1064nm 窄带滤光片激光膜, 以达到客户对于高品质镀膜效果的需求.  KRI 离子源用于镀制1064nm窄带滤光片激光膜: 1. 应用方向: 离子清洗, 辅助沉积2. 镀膜机型: 1米7 的大型蒸镀设备, 配置美国 KRi 射频离子源 RFICP 3803. 测试环境: 80C / 80% 湿度, 85C / 95% 湿度, 连续 1,500 小时高温高湿严苛环境测试4. 镀膜材料: Ti305+Si02、Ta205+Si025. 应用领域: 激光设备、生化仪、光学测量仪器、酶标仪、生物识别、红外医疗仪器、荧光分析仪、医疗检测设备等其他生物化学分析仪器        上海伯东美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380辅助沉积镀制1064nm窄带滤光片, 沉积过程稳定, 加以合理的膜系设计, 可以很好地镀制出透过率高、截止宽度宽、温度漂移小、膜层致密度高、使用寿命长的产品.         上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.   射频离子源 RFICP 系列技术参数: 型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 or RFN  KRI 射频离子源其余相关应用：KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜   相关产品:美国 KRi 射频离子源 RFICP 380,满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 220 美国 KRI 射频离子源 RFICP 140 美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 美国 KRI 射频离子源 RFICP 40  上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东.