半导体薄膜材料中微波消解检测方案(微波消解仪)

SINEO新仪MT-581-202106 微波消解半导体薄膜材料 1前言 半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同，在结构上可分为单晶，多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料，特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高，元件的尺寸越来越小，半导体薄膜是构成这类器件的基本材料。我们选择一种半导体薄膜材料，探索最适合的消解参数，有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。 2仪器与试剂 2.1仪器 新仪MASTER-18微波消解仪，赶酸器，分析天平(十万分之一)等。 2.2试剂 硝酸(68%)，氢氟酸(40%) 3实验方法 精确称取半导体薄膜材料50mg(精确至0.1mg)，缓慢滴加8mL硝酸(剧烈反应，释放气体)，静置 10min 左寺，待无明显反应后，补加2mL氢氟酸，组装消解罐，按照如下设置参数进行实验： 阶段 温度/℃ 时间/min 功率/W 1 150 10 400 2 180 5 400 3 210 45 400 实验结束后，待冷却至60℃以下，取出消解罐转移至通风橱中缓慢打开，赶酸稀释后，样品可完全消解至澄清透明状态。 4结果 实验选取的半导体薄膜材料样品，取样为50mg，加入硝酸静置后，补加氢氟酸，最高实验温度210℃， 保温 40min 左右，样品可完全消解。 5注意 1)添加氢氟酸进行实验后，需进行赶酸处理，防止氢氟酸对玻璃器皿造成腐蚀，也可能会对实验结果造成影响。 2)添加硝酸后样品反应剧烈，实验过程中应缓慢加入或者分多次加入硝酸，同时实验人员需做好防护。 -- -- 半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同，在结构上可分为单晶，多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料，特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高，元件的尺寸越来越小，半导体薄膜是构成这类器件的基本材料  。我们选择一种半导体薄膜材料，探索最适合的消解参数，有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。