上海伯东 KRi 大面积射频离子源应用于 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统

上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源  RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE  离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 σ）达到< 1%. 可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为大面积离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!  气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, 由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料去除, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.IBE 类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间, 通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制; 其次 IBE 的晶圆载台可以实现自转, 并通过角度调整, 实现倾斜入射.KRi 射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频2kw & 1.9 ± 0.2 MHzRF 射频2kw & 1.8 MHz离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.上海伯东版权所有, 翻拷必究！