inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试

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检测样品: 光电器件
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发布时间: 2024-08-21
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伯东公司德国普发真空pfeiffer

金牌17年

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存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.

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存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.上海伯东存储器芯片高低温冲击测试案例客户: 某知名存储芯片设计公司, 主要产品 Flash 及 DRAM 存储器测试设备: inTEST ATS-710-M 搭配爱德万 Advantest 内存 IC 测试系统测试目的: 研发中存储芯片的运作特性, 同时可用于失效芯片在不同温度下的快速故障诊断.存储器芯片高低温测试方法: inTEST 热流仪温度区间设置为 125℃ 至 -55℃, 快速实现极端温度下闪存的运作特性, 如电压, 电流等. 闪存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式来进行高低温循环测式, 将闪存与 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互连接, 如此即可精确掌控受测物达到机台所设定之温度. 闪存高低温测试方法同样适合内嵌式记忆体 eMMC 温度测试.inTEST Temtronic ATS-710 热流仪技术参数型号温度范围 °C输出气流量变温速率温度精度温度显示分辨率温度传感器远程控制ATS-710E-75至+225 50Hz-80至+225 60Hz4 至18 scfm1.8至 8.5l/s-55至 +125°C 约 10 s+125至 -55°C 约 10 s±1℃±0.1℃T型或K型热电偶IEEE 488RS232上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络 上海伯东: 罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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产品配置单

伯东公司德国普发真空pfeiffer为您提供《inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试》,该方案主要用于光电器件中无检测,参考标准--,《inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试》用到的仪器有inTEST 高低温冲击热流仪 ATS-710E