ALD在锂电池方面的应用

     锂离子电池在充放电过程中，锂离子在正负极之间穿梭。在充电过程中，锂离子从正极脱出经过电解液和隔膜到达负极发生反应。在放电过程中锂离子从负极返回正极嵌入正极材料。在循环过程中，正极材料面临许多的问题如自身体积的变化，晶体结构的改变，界面结构的退化等导致的容量衰减。同样的，负极材料也面临着体积膨胀，枝晶的生长导致的负极材料的粉碎溶解、从集流体表面剥离脱离、电接触变差，短路等一系列问题，这些问题导致材料的容量和循环性能严重下降，甚至电池的起火爆炸。      原子层沉积（ALD）薄膜沉积可以合成具有原子级精度的材料，基于自限的膜纳米级的控制，可以实现多组分膜的化学成分控制、大面积的薄膜/工艺的可重复性，具备低温处理以及原位实时监控等技术特征。该技术在锂离子电池，太阳能电池，燃料电池以及超级电容器中都具有广泛的应用。       ALD已经被公认是一种非常有前途的工具可以用来解决锂离子电池以及其他电能储存设备所面临的问题。ALD在锂离子电池中的应用主要分为两个方面：(1)高性能电池电极，隔膜，集流体材料等的制备；(2)表面修饰。其应用主要总结在下图：1、ALD在电极材料及电解质制备中的应用a、ALD 用于负极材料的制备采用ALD技术制备的负极材料主要集中在过渡金属氧化物(TMOs), 如RuO2, SnO2, TiO2和ZnO. 其能量密度比传统的石墨电极高。同时，为了解决TMOs负极材料所面临的挑战，如SnO2在循环过程中较大的体积变化，TiO2低的电子跟离子电导率，由超高电导率的碳基材料如石墨烯，碳纳米管以及Mxenes与TOMs组成的复合负极材料可以很好的融合两者的优势。如：ALD制备的TiO2/CNF-CFP(carbon fiber paper)负极，具有高可逆容量（272 mAh g−1 at 0.1 A g−1），超高倍率性能(133 mAh g−1 at 40 A g−1) 以及超长循环稳定性（≈ 93%容量保持率在10000 圈 at 20 A g−1）。b、用于正极材料的制备通过ALD技术制备的正极材料有非锂化正极如V2O5, FePO4; 锂化正极如LiFePO4, LiCoO2以及LixMn2O4。如TiO2/V2O5/@CNT paper正极在100 mA g-1的电流密度下的放电比容量为400 mAh g-1，达到了理论放电比容量[3]。 同时，正极材料V2O5的溶解问题可以通过TiO2层得到有效抑制，同时不损失容量跟倍率性能。c、SSEs固态电解质的制备归功于其安全性及循环稳定性，全固态锂离子电池近来成为了研究的热点。ALD可以解决全固态锂离子电池所面临的两大关键性挑战a.高界面阻抗，b.低离子电导率。 最近采用ALD制备的固态电解质有LiPON, Li7La3Zr2O12, LixAlySizO, LixTayOz, LixAlyS and Li2O-SiO2.这些含锂SSEs提供了一个关键的技术平台来制备高能量密度，长寿命以及安全的可充放电池。如下图所示，ALD制备的LLZO为制备3D全固态锂离子微电池提供了一条技术路线。            2、ALD在电池电极，隔膜，集流体等表面修饰领域的应用a、ALD对负极表面修饰的应用在负极材料中，ALD表面/界面修饰技术主要为了解决从SEI膜引发的系列问题。在循环过程中，SEI膜的大量形成以及体积变化会引起电极的破坏，从而引发新的暴露面导致容量的衰减。如在石墨负极表面沉积Al2O3可以在电池循环了200圈之后有效地保持98%的首圈容量。锂金属作为负极材料的未来之星，在锂金属的沉积跟剥离过程中，锂枝晶的生长导致电池短路的问题亟待解决。采用ALD技术在锂金属表面构建例如有机/无机复合人工SEI膜，可以有效地抑制锂枝晶的生长。b、ALD对正极表面的修饰作用为了解决正极材料表面所面临的电解液分解，相变，析氧以及过渡金属溶解等问题,采用ALD技术在正极材料表面沉积保护层可以作为物理阻挡层或者HF清除层，从而有效地提高电池的循环稳定性跟倍率性能。在正极材料（层状结构：LiCoO2, LiNixMnyCozO2,富锂(Li-rich)xLi2MnO3·(1 − x)LiMO2(M = Mn, Ni, Co)，尖晶石结构LiMn2O4)表面沉积的ALD镀层主要可以分为四类：a金属氧化物：Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CeO2, Ga2O3; b氟化物：AlF3, AlWxFy; c磷化物：AlPO4,FePO4; d含锂化合物：LiAlO2, LiTaO3, LiAlF4。SU PERAL D 北京正通远恒科技有限公司 苏州芬中传感技术有限公司 电话：010-64415767|010-64448295| 18911587211 总部：北京 其他办事处：上海苏州合肥广州成都 总部地址：北京市朝阳区胜古中路2号院7号楼A座611 邮箱： I nfo@honoprof.com 网址： www.honoprof.com.cn 感 谢 关注! 深圳市原速科技有限公司 Product Introduction Exploiter 是原速科技自主开发的新一代智能化原子层 沉积(ALD)研发系统，广泛适用于纳米材料、微机 电系统、催化剂、生物膜材料及光电材料等领域。 Exploiter is a new developed intelligent R&D atomic layer depos i tion(ALD) system from Superald， LLC. It is widely applicable for thin film material deposition i n the f ield of nanotechnology，MEMS，catalysis， biomembrane， optoelectronics，etc . 技术指标 Technical Specification 本底真空：<5.0×10Torr， 高性能机械泵(可定制) 基材尺寸： 中200mm (可定制) 前驱体源：2~6路(可定制) 氧化/还原反应物：1~3路(可定制) 沉积温度：室温~400℃(可定制) 气体管路温度：室温~150℃(可定制) Base pressure：<5.0×103Torr， with high-performance pump (customizable)Substrate size： 200mm (customizable) Precursor： 2~6 ampoules(customizable) Oxidation/reduction reactant： 1~3inlets(customizable) Substrate temperature： RT~400℃ (customizable) Gas line temperature： RT~150℃ (customizable) 产品特色 Product Feature 优化的传输管路设计使适用的前驱体范围更广 可避免管路堵塞或交叉污染问题 工业化级别标准集成： PLC+工控机+触摸屏 全方位可靠的安全互锁方案 软件操作界面友好，可实现“一键沉积” 提供定制化材料制备工艺，包括但不限于： √ 金属材料： Fe、Co、Ni、 cu、 Ag等 √ 二元/多元材料： AIN、HfON 和 LaAlO，等 纳米层压材料： (AL，O，/Zro，)等 Gas delivery are optimized for use with wide range of precursors， while avoiding issues such as gas line clogs or cross contamination. Integration with high-level i ndustry standard：based on PLC and IPC with touch screen Reliable and comprehensive safety interlocks User-fr i endly software i nterface with "one button"operation for process implementation Provide customized thin film deposition processes，including but not l imited to： √N Metals： Fe， Co， Ni， Cu，Ag， etc. √日 Binary or multi-component compounds：AIN，HfON，LaAlO，， etc. Nanolaminates： (AL，O，/ZrO，)n，etc. 公司简介 原速科技 (Superald，LLC) 是一家专注于开发新一代原子层沉积 技术的高科技企业，为半导体、柔性显示、光学镀膜、太阳能电 池及锂电池等领域的薄膜研发和生产提供优质的技术服务和一体 化解决方案，致力于打造全球一流的薄膜材料制备平台。 服务类型 设备制造和维护 根据客户的具体应用需求，定制化地设计、开发及制造沉积设备，并提供后续的维护服务。 技术方案 根据薄膜材料的特定应用体系，为客户提供 从原材料选择、工艺路线制定等全方位服务。 工艺开发 为客户提供制备金属、氧化物、氮化物、多 元化合物等薄膜材料的最优工艺条件。 镀膜服务 为客户提供定制化镀膜加工服务