陶瓷芯片部件中Sn/Ni 双层膜检测方案

HITACHI1nspire the NextXRF No.83：5荧光X射线分析2015.2日立仪器(上海)有限公司Hitachi Instruments (Shanghai) Co.，Ltd.http：//www.hitachi-hightech.com/hig/O2015 Hitachi Instruments (Shanghai) Co.， Ltd. 利用FT150h测量陶瓷芯片部件中Sn/Ni 双层膜 作为层压陶瓷片式原器件电容器的代表，陶瓷片式原器件在智能手机及车载电脑等的无中心部件的一种。近几年，由于产品的小型化多功能化，我们一步步进入高密度安装时代，部件本身就已经非常小。 这样的陶瓷片式原器件的电极部分许多都被使用了Sn和Ni双层膜，我们追求的就是对他们的膜厚管理。但是，由于Sn越厚， Sn对于Ni受到的荧光X射线吸收越强。Sn和Ni的同时测量就比较困难。 FT150h配备了新型聚光光学系以及升级后的Vortex@检测器，对于从前机种难以测量的微小范围，实现了同时高精度测量更更的Sn与它下面的Ni，此份资料中介绍了针对陶瓷片式原器件的疑似样品， Ag上的Sn/Ni双层膜的同时测量的案例。 FT150系列 ■测量条件及标准物质 表1 测量条件 装置 FT150h 管电压 45 kV 光束直径(※) 35 umo 一次滤波器 AI1000 测量时间 30秒 测量方法 薄膜FP法 分析线 Sn Ka Ni Ka Ag Ka (※)指拥有30~40keV能量的一次X射线中包涵了90%强度的直径 作为标准物质、将日立高新技术科学制薄膜标准物质 Sn 4.61 pm， Ni 4.89 pm， Ag 8.95 pm这3个种类重合在AI板上的物质登陆1点。 ■测量样品 使用日立高新技术科学制薄膜标准物质，作为疑似样品对其进行评价。 表2被测量标准物质成分 Sn(um) Ni(um) Ag(um) (1) 2.01 1.90 8.95 (2) 4.61 1.90 8.95 (3) 9.43 4.89 8.95 通过对Sn及Ni不不同厚度样品进行反复测量，即便是只有30秒的测量时间，也可得到不到4%的良好重复性，另外，10um厚的Sn下面的Ni的测量结果也非常准确。 利用FT150h，针对从前机种难以测量的微小范围，可实现对Sn和Ni的高精度双层同时测量。 mSn Ka的能谱比较 右边显示的是FT150h与以往机种FT9500X各自测量大约5um的Sn的能谱线。 FT150h利用新型聚光光学系系Vortex检测器，大幅提升了从前测量困难的Sn Ka线的灵敏度。 图1Sn 5 pm能谱比较 ■各测量样品的10次反复测量结果 各测量样品各进行10次反复测量，评价Sn和Ni的正确性和重复性。 表3测量样品(1)的反复测量结果 Sn(pm) Ni(pm) Ag(pm) 平均值 2.01 1.94 8.89 标准偏差 0.051 0.037 0.046 RSD% 2.5% 1.9% 0.5% 表3测量样品(2)的反复测量结果 Sn(pm) Ni(pm) Ag(um) 平均值 4.63 1.93 8.82 标准偏差 0.049 0.043 0.050 RSD% 1.1% 2.2% 0.6% 表3测量样品(3)的反复测量结果 Sn(um) Ni(pm) Ag(um) 平均值 9.36 4.65 8.84 标准偏差 0.068 0.164 0.122 RSD% 0.7% 3.5% 1.4% ※ 以上仅为测量案例，并不能保证两装置的性能。 ( 本社：上海市浦东新区张江高科技园区碧波路690号2号楼102室 TEL：+86-21-5027-3533 海币 东莞分公司：广东省东莞市长安镇长青南路306号金业大厦4楼 TEL：+86-769-8584-5872 )