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SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构,如4H、6H、3C等等。4H-SiC因为其较高的载流子迁移率,能够提供较高的电流密度,常被用来做功率器件。
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SiC从上个世纪70年代开始研发,2001年SiCSBD商用,2010年SiCMOSFET商用,SiCIGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高,使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行,这将进一步降低SiC材料和器件成本,推进SiC器件和模块的普及。
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淘仪科技为您提供《傅里叶红外光谱仪Sic半导体应用》，该方案主要用于其它中半导体材料检测，参考标准--，《傅里叶红外光谱仪Sic半导体应用》用到的仪器有傅立叶变换便携近红外光谱仪--MATRIX-F、便携式傅立叶变换红外光谱仪MOBILE-IR II
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