高纯度铟 (In)、镓(Ga)中高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质检测方案(ICP-AES)

实验条件 介绍 高纯度精制的钢(In)是高性能导电体 ITO(In Tin Oxide)的主要原料，主要用于LCD、LED、PDP等平板显示器的电极和导电体。因其原材料价格昂贵，又可精制再生使用，所以需要分析精制后纯度。 高纯度精炼的家(Ga)是半导体化合物砷化的主要原料，可用作高温温度计的填充物、温度标准物质及熔点较低的合金材料，是现代电子产业不可或缺的元素之一，随着高纯度度的需求增大，对杂质含量的检验成为必不可少的环节。 分析仪器 ◆(OPTIMA 8300 ICP-OES 实验条件 中心管 玻璃同心式K型 雾室 玻璃旋流雾室 炬管 单槽石英炬管 射频页(W) 1400W 等离子体(L/min) 10 辅助(L/min) 0.2 雾化气(L/min) 0.55 取样速率(mL/min) 1.5 分析高纯度度(In)中的杂质时使用的分析波长(nm) 元素 波长(nm) 元素 波长(nm) Al 396.153 Mg 279.553 Bi 222.821 Mn 259.372 Ca 317.933 Na 589.592 Cd 228.802 Ni 231.604 Co 228.616 Pb 220.353 Cr 205.56 Sb 217.582 Cu 327.393 Sn 189.927 Fe 238.204 Zn 206.2 Ga 417.206 Zr 343.823 分析高纯度度(Ga)中的杂质时使用的分析波长(nm) 元素 波长(nm) 元素 波长(nm) Ag 328.068 Mo 203.845 Al 396.153 Ni 227.022 As 197.197 Pb 220.353 Bi 222.821 Se 203.985 Ca 396.847 Sb 231.146 Cd 214.44 Si 251.611 Cr 267.716 Sn 189.927 Co 228.616 Ti 336.924 Cu 324.752 Tl 353.924 Fe 238.207 290.88 In 303.936 Zn 206.2 Mg 280.271 Zr 343.823 Mn 257.61 结论 分析高纯度精制的制(In)、家(Ga)中的杂质时，由于高浓度烟(In)和家(Ga)存在多种波长的干扰，因此，在以上2-3、2-4等分析中选择了最合适的分析波长。在这种情况下不需要使用MSF波长干扰模式，不过为了防止样品和标准溶液之间存在比重和粘度的差异造成回收率下降，建议使用作(Y)或抗(Sc)作为内标。另外，为了防止让(In)样品中的家(Ga)或或(Ga)样品中的钢(In)杂质交叉污染，建议准备两套进样系统。 珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司 地址：上海张江高科技园区张衡路1670号邮编：201203电话：021-60645888传真：021-60645999www.perkinelmer.com.cn ( 要获取全球办事处的完整列表，请访问http：// www.perkinelmer.com.cn/AboutUs/ContactUs/ContactUs ) 高纯度精炼的镓(Ga)是半导体化合物砷化镓的主要原料，可用作高温温度计的填充物、温度标准物质及熔点较低的合金材料，是现代电子产业不可或缺的元素之一，随着高纯度镓的需求增大，对杂质含量的检验成为必不可少的环节。本文建立了利用ICP-OES分析高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质的解决办法。