锂样品中轻元素分析检测方案(扫描电镜)

TESCAN中国官方微信 FIB-SEM 双束电镜应用之 TOF-SIMS 锂元素分析 大型的飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)是非常昂贵的元素及同位素分析设备，现在TESCAN 已经将小型化的 TOF-SIMS 集成于所有的 FIB-SEM 上了。 飞行时间二次离子质谱仪就是利用离子束轰击样品的表面，激发产生的二次离子加速进入质谱仪。由于不同离子的荷质比不同，在相同的加速电场下，不同荷质比的离子到达探测器的飞行时间就不同，因此利用飞行时间的差别就将不同荷质比的离子区分开来。 图1 TOF-SIMS 及原理示意图 FIB-SEM 上的 TOF-SIMS 可以提供如下的功能： 1.轻元素分析：元素分析范围从H开始； 2.痕量元素分析：由于TOF-SIMS具有极高的灵敏度，几个 ppm的轻元素都可以进行表征； 3.优秀的空间分辨率：由于离子束与样品的作用区域更小，空间分辨率可达10nm； 4..深度剖析：由于离子束可以逐层剥离样品，从而可以实现深度上对元素分布的表征。 图2 TOF-SIMS不同离子的谱峰，可以分享痕量的Li，B等轻元素 TESCAN 中国官方微信 图3LiNbO3样样品中锂离子的三维分布 TESCAN 所有 FIB-SEM， 包括Ga 离子双束和Xe等离子双束，都可以集成 TOF-SIMS。不同于能谱和波谱，该元素分析技术能够分析从H开始的痕量元素，并且具有较高的空间分辨率。 TESCAN CHINA上海市闵行区联航路旭辉国际楼层TEL：FAX： ebsite：www.tescan-china.comEmail： market@tescanchina.com第页，共页 大型的飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）是非常昂贵的元素及同位素分析设备，现在TESCAN已经将小型化的TOF-SIMS集成于所有的FIB-SEM上了。   飞行时间二次离子质谱仪就是利用离子束轰击样品的表面，激发产生的二次离子加速进入质谱仪。由于不同离子的荷质比不同，在相同的加速电场下，不同荷质比的离子到达探测器的飞行时间就不同，因此利用飞行时间的差别就将不同荷质比的离子区分开来。FIB-SEM上的TOF-SIMS可以提供如下的功能：1. 轻元素分析：元素分析范围从H开始；2. 痕量元素分析：由于TOF-SIMS具有极高的灵敏度，几个ppm的轻元素都可以进行表征；3. 优秀的空间分辨率：由于离子束与样品的作用区域更小，空间分辨率可达10nm；4. 深度剖析：由于离子束可以逐层剥离样品，从而可以实现深度上对元素分布的表征。