片式元器件电极中膜厚测量检测方案(X荧光测厚仪)

HITACHI1nspire the NextTechnical Report2015.9http：//www.hitachi-hightech.com/hhs/C2015 Hitachi High-Tech Science Corporation XRF No.89荧光X射线分析 使用FT150h测量片式元器件电极膜厚 智能手机或车载电脑等使用的片式元器件，由于产品的小型化和多功能化，更加追求高密度的安装，部件本身也变得越来越小。它们中电极部分 使用Sn和Ni双层膜的情况较多，因此对其膜厚管理的追求也越高。太城城小三眼的由立后的古Ni/co后八对今后越来越小型化片式元器件的电极部膜厚的高精确度Ni/Sn的同时测量。此份资料中，介绍了FT150系列阵容中通过Sn和Ag等高能量荧光X射线使测量性能强化后的FT150对陶瓷片式元器件冷凝器的Ni/Sn层进行膜厚测量，之后更进一步确认对样品断面研磨后的电极部膜厚案例 FT150h Ni/Sn 层的膜厚测量 ■测量样品 测量的样品为在市场上销售的陶瓷片式元器件冷凝器(尺寸为1608)电极部分的Ni/Sn膜厚。片式元器件冷凝器的外观如图1所示。 图1测量样品外观 ■荧光X射线膜厚测量仪膜厚测量结果 ■測定条件七標準物質 作为标准物质，日立高新技术科学制薄膜标准物质Sn：5.18 um， Ni ： 1.988 um，Cu： 19.62 um的3个种类的箔与AI板重合的物质1点标准登记。 表1测量条件 装置 FT150h 管电压 45 kV 光束直径(※) 35 um o 一次滤波器 无 测量时间 60秒 测量方法 薄膜FP法 分析线 Sn Ka Ni Ka