用基本参数法对芯片进行定量分析

XenemetrixThe Power to Change Energy Into Information R 用基本参数法对芯片进行定量分析 摘要： 使用 Xenemetrix 的 ROHS Vision EDXRF分析仪对芯片进行分析，使用1mm微型光斑大小的X射线光束照射芯片的金属部分，为了覆盖光谱中的所有峰的浓度，使用基本参数法进行定量分析。 目标： 对一块芯片进行全面的定性和定量分析。 相关配置： 表1：分析配置 阳极 Mo Anode X-ray Tube.50kV/50 W 探测器 Si—PIN探测器 (FWHM 160±10 eV at Mn Ka peak) 分析时间 300s 工作环境 空气 样品制备 无需制备 光斑尺寸 Imm 相机 CCD 定量分析 基本参数软件 实验： 放置一个芯片，与准直的X射线微束斑内的金属部分对齐，安装在分析仪的 CCD 相机将拍摄图，如图1所示。 使用微光斑X射线束对频谱进行采集，所得的谱图如图2所示，在定性分析中，确定几个元素峰，只清楚的发现一个有害元素 Pb。 对所有元素进行完整的定量分析，其中由于缺乏合适的校准标准，所以使用基本参数程序。虽然微光斑对准了芯片的金属部分，但仍然干扰黑色芯片部分，也检测到黑色的“外壳”部分的一个大的硅峰，基本参数分析法的浓度结果如表2所示。 频谱显示出 Zn的高强度峰、Bi的高强度峰以及 Pb 的双峰重叠的弱峰。图3显示了 La和 Pb 的重叠、La 和 Pb的重叠以及Lb 和 Bi的重叠峰。Pb、Lb 和 Bi、 Lb 更详田的细节在图4a和4b中显示。 图1：芯片与X射线微束对准 图2：芯片的光谱图，显示了主要元素的全部强度 图3：芯片的垂直扩展谱图，显示了元素峰的详细信息(钼峰来源于钼阳极) R 图4A和4B：分别显示了 Pb、Lb 和 Bi、Lb(蓝色轮廓谱) 表2：，图1和2光谱定量分析浓度的结果 Sample Table=== ====LayerComponent Type Concn. Error Units Mole%Error 1 Si Calc 44.300 0.733 wt.%68.170 1.129Ca Calc 2.810 0.047 wt.% 3.030 0.051 Ba Calc 3.912 0.079 wt.% 1.231 0.025 Mn Calc 0.151 0.007 wt.% 0.119 0.005 Fe( Calc 0.026 0.004 wt.% 0.020 0.003 Co ( Calc 0.230 0.006 wt.% 0.169 0.004 Ni Calc 0.576 0.007 wt.% 0.424 0.005 Zn Calc 36.104 0.049 wt.% 23.862 0.032 1 Pb Calc 0.141 0.014 wt.% 0.029 0.003 Bi Calc 8.580 0.037 wt.% 1.774 0.008 1 Zr Calc 0.089 0.007 wt.% 0.042 0.003 Ag Calc 0.747 0.021 wt.% 0.299 0.008 1 Sn ( Calc0.140 0.020 wt.% 0.051 0.007 Sb(Calc 2.194 0.053 wt.% 0.779 0.019 讨论： 值得注意的是，在任何基本参数的定量分析中，元素的浓度结果都将归结为100%，这意味着，如果有元素存在，但没有检测到该元素的谱图，如塑料零件或者更轻的元素会有一个错误的结果，但是使用特殊的“矩阵“FP软件可以进行校正。在这个 FP 分析法中假定检测到所有的主要元素成分的光谱。 无锡瑞迪声科技有限公司技术维修部：enemetrix 中国技术服务中心地址：无锡市锡山区芙蓉路