用于中长波红外应用的纳米线栅偏振器
已经使用晶片级铝纳米线栅图案化能力开发了适用于中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）应用的硅上的高对比度线栅偏振器。144nm间距的MWIR偏振器通常从3.5-5.5微米透射优于95%的通过偏振态，同时保持优于37dB的对比度。在7微米和15微米之间，宽带LWIR偏振器通常透射通过状态的55%和90%，并且具有优于40dB的对比度。窄带10.6微偏振器在通过状态下显示出约85%的透射率和45dB的对比度。使用各种FTIR光谱仪进行透射和反射测量，并将其与抗反射涂层晶片上的线栅偏振器（WGP）性能的RCWA建模进行比较。激光损伤阈值（LDT）测试是使用连续波CO2激光器对宽带LWIR产品进行的，并且在阻断状态下显示110kW/cm2的损伤阈值，在通过状态下显示10kW/cm2的损伤阈值。MWIR LDT测试使用具有7ns脉冲的在4微米下操作的OPO，并且显示在阻断状态下LDT为650W/cm2并且在通过状态下优于14kW/cm2。
检测样品：
光电器件
检测项：
中长波红外应用
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α-FeF3·3H2O纳米线的简易溶液合成及其转化为光电化学应用的α-Fe2O3纳米线
将0.808 g Fe（NO3）3·9H2O溶解在20.0 mL乙醇中，得到应立即使用的明亮橙色Fe3+溶液（200 mM），因为如果不及时使用，Fe3+在乙醇中会缓慢水解，因此NW产率会低得多。使用塑料Mohr移液管（VWR）和Eppendorf移液管。然后小心地密封离心管，并非常小心地摇动两种液体的混合物以混合。这产生了清澈的HF/乙醇溶液，将0.5mL Fe3+/乙醇溶液（200mM）快速注入其中。用手摇动所得无色溶液[c（Fe3+）:c（HF）+c（H2O）≈10mM:5560mM:6700mM]，然后在60°c的烘箱中加热24小时。在反应过程中没有使用底物，因为它提供了额外的异核位点，有利于形成微米级的β-FeF3·3H2O晶体。通过以5000rpm的速度离心5分钟来收集随时间出现的白色浑浊沉淀物，用乙醇剧烈洗涤两次，最后在室温下干燥。
检测样品：
光电器件
检测项：
光电化学应用的α-Fe2O3纳米线
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灯具高温高湿试验检测方案
本方案针对灯具的高温高湿性能和可靠性检测而制定。采用能够调控温度在 25℃ - 85℃、湿度在 50%RH - 98%RH 的高温高湿试验箱作为设备。选取不同类型、型号和批次的灯具作为试验样品，包括 LED 灯、荧光灯等。试验前对样品进行预处理，然后设置温度为 60℃、湿度为 90%RH，持续 96 小时的试验条件。过程中每隔 24 小时测量灯具的光强和功率，试验结束后观察灯具外观并对比试验前后光强和功率数据，以评估灯具在高温高湿环境下的性能和可靠性，得出灯具是否通过试验的结论。
检测样品：
光电器件
检测项：
灯具
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恒温恒湿试验箱对芯片研发有哪些重要性升
恒温恒湿试验箱对芯片研发的重要性主要体现在以下几个方面：
1. 检测芯片在不同环境下的性能表现和稳定性：在半导体芯片的研发过程中，环境试验箱的作用非常重要。通过环境试验箱的测试，可以发现芯片在各种环境下的性能和稳定性问题，为芯片的进一步优化和改进提供依据。恒温恒湿试验箱可以模拟不同的环境条件，检测芯片在不同环境下的性能表现和失效情况。
2. 评估芯片的可靠性和稳定性：恒温恒湿试验箱可以对芯片的可靠性和稳定性进行评估，为芯片的质量控制和产品化提供保障。在不同环境条件下，芯片可能会发生各种物理和化学变化，导致性能下降或失效。通过恒温恒湿试验箱的测试，可以了解芯片在不同环境条件下的反应，从而采取相应的措施来提高其可靠性和稳定性。
3. 模拟实际使用环境：恒温恒湿试验箱可以模拟各种温度和湿度条件，从而能够测试芯片在实际使用环境下的性能表现。这有助于芯片研发人员了解芯片在不同环境下的反应，并根据测试结果进行优化和改进。
检测样品：
光电器件
检测项：
性能表现和稳定性检测
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环境温湿度箱在交变潮湿环境下半导体的测试方案
环境温湿度试验箱在交变潮湿条件下对半导体的测试方案包括以下步骤：
准备设备：准备环境温湿度试验箱，确保设备能够模拟高温、低温和湿热环境。同时，准备相应的测试设备和工具，如温度传感器、湿度传感器、测试夹具等。
设定测试条件：根据相关标准，设定高温储存、低温储存、温度循环、湿热循环和高湿寿命测试所需的温度和湿度条件。例如，高温储存测试条件为85℃±5℃持续1000h，低温储存测试条件为-40℃±5℃持续1000h，温度循环测试条件为-40℃～85℃持续200个循环，湿热循环测试条件为40℃～85℃，RH=85%持续10个循环，高温高湿寿命测试条件为85℃、85%RH持续1000h。
安装样品：将待测试的半导体芯片安装到环境温湿度试验箱内的测试夹具上，确保安装牢固、稳定。
开始测试：将环境温湿度试验箱的温度和湿度调整到设定的测试条件，并将半导体芯片放置在试验箱内。
监控和记录数据：在测试过程中，使用温度传感器和湿度传感器监控试验箱内的温度和湿度，并记录测试数据。同时，观察半导体芯片在模拟环境中的表现，记录任何异常情况。
分析数据：根据测试数据和观察结果，分析半导体的性能和可靠性，评估其在模拟环境中的适应性和稳定性。
结束测试：在达到设定的测试时间后，结束测试，并将半导体芯片从试验箱内取出。
维护设备：对环境温湿度试验箱进行清洁和维护，以确保设备的正常运行和使用寿命。
需要注意的是，在测试过程中要保持试验箱内的温度和湿度条件稳定，并确保半导体芯片放置的位置和方向正确。同时，要密切关注半导体芯片在模拟环境中的表现，及时发现和处理任何异常情况。
检测样品：
光电器件
检测项：
交变试验
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定制方案复式无尘高温烘箱OVEN-180-2C
无尘工业烤箱主要针对TP,LCD等对烘烤环境要求较高的行业，广泛应用于材料老化.银浆固化.油墨烘干等制程。可依据客户实际生产 要求设计订制。箱内空气封闭自循环，经耐高温高效空气过滤器（100级）反复过滤，使烘箱工作室内处于无尘状态。无尘烤箱工作室为不锈钢结构。工作室内温度由温控仪自动控制，并有自动恒温及时间控制装置，并附设有超温自动停电及报警电路，控制可靠，使用**。 无尘烤箱可分为千级无尘烤箱、百级无尘烤箱、万级无尘烤箱、无尘洁净烤箱、触摸屏用无尘烤箱、LED用无尘烤箱、PCB板用无尘烤箱、ITO玻璃用无尘烤箱等。无尘烤箱适用范围：无尘等级为100级，适用于精密电子、太阳能、新材料、触摸屏等行业。
检测样品：
光电器件
检测项：
无
广东宏展科技有限公司
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美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.
检测样品：
光电器件
检测项：
辅助镀膜 IBAD
伯东公司德国普发真空pfeiffer
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SEM-CL在光伏材料领域的应用
In order for photovoltaic (PV) power generation to provide a significant fraction of the world’s
energy needs, the cost of panels, per Watt generated, must be reduced. The best prospects
for low-cost, high volume photovoltaic power generation are thin film inorganic compounds
including CdTe and Cu (In, Ga) Se2 (CIGS). These two materials presently make-up almost 20%
of solar panel sales, with it likely that this fraction will increase, due to the following advantages over Si
检测样品：
光电器件
检测项：
光伏材料
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四氟化锗产品中的HF气体残留监测
年来国家鼓励国内半导体产业创新发展，打破国外垄断，实现技术自主，出台了一系列支持和引导该行业的政策法规。四氟化锗（GeF4）作为一种锗的氟化物，在半导体行业中用于掺杂和离子注入，结合乙硅烷气体，可以直接在玻璃基底上制造硅锗微晶，其潜在应用价值正越发受到国内外企业关注。在某GeF4生产工艺过程中，需要尽力去除产品气GeF4 中杂质HF气体，使其残留量值低于企业标准中的限量值（35ppm）。为了监测此工艺过程的效果，需要定量监测GeF4气体中的HF残留。含量范围大约0-500 ppm。
检测样品：
光电器件
检测项：
HF
北京鉴知技术有限公司
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SEM-CL在光电材料的缺陷检测和计量方面的应用
The emergence of new materials have paved the way to nano-electronic and optoelectronic devices with improved
or new capabilities. For instance, III-V based alloys have revolutionized the LED industry finding applications in high
power electronics, and may speed up micro- electronic devices in the near future. Unfortunately, their wide scaled
implementation is still limited by the presence of highly concentrated crystallographic or impurity defects. Such defects
are typically of sub-nanometric size and are therefore difficult to observe directly. Defect metrology is by consequence
of very high importance to assess fabrication processes. Three methods are traditionally implemented to determine
the density of defects in optoelectronic devices
检测样品：
光电器件
检测项：
阴极荧光分析系统
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仪器信息网行业应用栏目为您提供52篇光电器件检测方案，可分别用于，参考标准主要有等