KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

‍‍上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和  IBD 离子束沉积是其典型的应用.‍‍‍‍‍‍‍‍KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用通常安装两个离子源主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体基板远离溅射目标工艺压力在小于× 10-4 torr‍‍‍‍‍‍‍‍离子源在离子束溅射沉积工艺过程: 上海伯东美国 KRi 射频离子源优势提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜远离等离子体: 低基材温度不需要偏压衬底溅射任何材料, 不需要射频溅射电源非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备清洁, 低污染工艺沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量离子能量, 离子电流密度的控制优良的反应沉积工艺 美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数：型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000‍‍ 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!  射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请联络上海伯东叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！‍‍‍‍Hakuto地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 Hakuto TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490 WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ 上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用 上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源，无需灯丝提供高能量，低浓度的宽束离子束，，离子束轰击溅射目标，溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜，IBSD 离子束溅射沉积和 IBD 离子束沉积是其典型的应用. 通Ar氩气准直 通Ar 氩气聚焦 KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用 通常安装两个离子源 主要溅射沉积源和二次预清洁/离子辅助源 一次气源为惰性气体，二次气源为惰性或反应性气体 基板远离溅射目标 工艺压力在小于× 10-4 torr 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 人 伯 東 KK i KaufmanHakuto& ROBINSON The lon Source AuthoritysM Ion Beam Sputter Deposition 离子源在离子束溅射沉积工艺过程： 上.伯東KRKaufman& ROBINSON 离子清洁 离子束溅射沉积 离子辅助沉积 上海伯东美国KRi 射频离子源优势 提供致密，光滑，，无针孔，耐用的薄膜 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 Hakuto TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490 WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ 远离等离子体：低基材温度 不需要偏压衬底 溅射任何材料， 不需要射频溅射电源 非常适用于复杂，，精密的多层薄膜制备 清洁，低污染工艺 沉积原子为坚硬，耐用的薄膜保留溅射能量 离子能量，离子电流密度的控制 优良的反应沉积工艺 人伯東KiKaufmanHakuto& ROBINSONThe lon Source AuthoritySM 美国 KRi RFICP!射频离子源技术参数： 型号 RFICP 40 RFICP 100 RFICP 140 RFICP 220 RFICP 380 Discharge阳极 RF 射频 RF 射频 RF 射频 RF 射频 RF 射频 离子束流 >100 mA >350 mA >600 mA >800 mA >1500 mA 离子动能 100-1200V 100-1200V 100-1200V 100-1200 V 100-1200 V 栅极直径 4cm 中 10cm中 14cm 中 20 cm 中 30cm1中 离子束 聚焦，平行，散射 流量 3-10 Sccm 5-30sccm 5-30 sccm 10-40 sccm 15-50sSccm 通气 Ar， Kr， Xe， 02，N2， H2， 其他 典型压力 < 0.5m Torr < 0.5m Torr <0.5m Torr <0.5m Torr < 0.5m Torr 长度 12.7 cm 23.5 cm 24.6 cm 30 cm 39 cm 直径 13.5 cm 19.1 cm 24.6 cm 41cm 59cm 中和器 LFN 2000 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 H akuto TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列，无需灯丝提供高能量，低浓度的离子束，通过栅极控制离子束的能量和方向，单次工艺时间更长!射频离子源适合多层膜的制备，离子溅镀镀膜和离子蚀刻，改善靶材的致密性，光透射，均匀性，附着力等.上海伯东是美国KRi 离子源中国总代理. 上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的涡轮分子泵，真空规，高真空插板阀等产品，协助客户生产研发高质量的真空系统. 1978年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson， Inc公司，研发生产考夫曼离子源，霍尔离子源和射频离子源.美国考夫曼离子源历经40年改良及发展已取得多项专利.离子源广泛用于离子清洗PC， 离子蚀刻 IBE，车辅助镀膜 IBAD，离子溅射镀膜 IBSD 领域. 若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源，请联络上海伯东叶女士上海伯东版权所有，翻拷必究!