在半导体工业中，例如扩散阻挡层和高k栅介质层等超薄膜的制备越来越多地采用原子层沉积（ALD）技术。
通过测量能量损失，可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化，可以确定薄膜的生长模式。
方案详情
intensity Energy eV 1000 1500 2000 2500 案例四、超薄膜分析在半导体工业中，例如扩散阻挡层和高k栅介质层等超薄膜的制备越来越多地采用原子层沉积（ALD）技术。例图显示了五种不同的LEIS光谱，其WNxCy在硅片上沉积的循环次数逐步增加。WNXCY在硅基底上ALD沉积循环数递增下的LEIS能谱通过监测渐减的硅信号和渐增的钨信号，可以清楚地看到，要形成闭合的WNxCy薄膜，40次ALD沉积循环是必要的。在WNxCy SiOx表面谱上，钨信号峰峰形的低能量侧揭示了在WNxCy完全覆盖SiOx基底之前WNxCy的多层岛式生长情况。通过测量能量损失，可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化，可以确定薄膜的生长模式。
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产品配置单
北京艾飞拓科技有限公司（IONTOF中国代表处）为您提供《ALD超薄膜中厚度分析检测方案(其它质谱仪)》，该方案主要用于其他中尺寸测量检测，参考标准--，《ALD超薄膜中厚度分析检测方案(其它质谱仪)》用到的仪器有IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac