微光显微镜中冷CCD的应用检测方案(CCD相机)

冷CCD在微光显微镜(EMMI)的应用 半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力，可侦测到半导体组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光线，能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以广泛的应用于侦测IC 中各种组件缺陷所产生的漏电流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理图如下: 由于加速载流子发光，即在局部的强场作用下产生的高速载流子与晶格原子发生碰撞离化，发射出光子，通常其光谱在可见光范围内有一个宽的分布（ 650-1050 nm ），采用深度制冷的CCD相机可以拍摄到此现象。              先锋科技公司代理的英国安道尔公司深度制冷CCD相机，5年的真空封闭质保期，免除了您对于售后造成的困扰，同时相机在近红外区域具有极好的信噪比，针对EMMI的应用，主要推荐CCD相机如下：                                                   型号 Clara iKon M 934 BRDD 生产厂家 英国Andor公司 英国Andor公司 分辨率 1392*1040 1024*1024 最低制冷温度 零下45度 零下80度 像素尺寸 6.45um*6.45um 13um*13um 900nm量子效率 10% 65% 计算机接口 USB2.0 USB2.0 最高帧速 11fps 2fps 是否含有EM增益 否 否 产品优势及建议应用 具有软件可选近红外增强模式，很低的制冷温度，适用于离线电致/光致荧光检测 背感光芯片，具有最高的量子效率及最低的制冷温度，是离线电致/光致荧光检测的研究级产品      半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。