本仪器采用准动态法(具有)和四探针法分别测量样品的 seebeck 系数和电阻率。不仅可用于测量半导体块状样品,康铜、镍、铋等金属半金属样品,石墨、碳材料等非金属样品的seebeck 系数和电阻率,还可测薄膜(纳米)样品的 seebeck 系数和电阻率。
HanKo上海昊扩华东大区总代理嘉仪通科技 薄膜材料物性分析领跑者 热电参数测试系统(Namicro) Thermoelectric Parameter Test System 热电参数测试系统(Namicro-IIl) 本仪器采用准动态法(具有专利技术)和四探针法分别测量样品的seebeck 系数和电阻率。不仅可用于测量半导体块状样品,康铜、镍、铋等金属半金属样品,石墨、碳材料等非金属样品的seebeck 系数和电阻率,还可测薄膜(纳米)米品的 seebeck 系数和电阻率。 独特优势 拥有独立知识产权,获得多项技术专利: 动态法测量 seebeck 系数,避免了传统静态测量法在温差测量方面的系统误差,测量更准确; seebeck 系数和电阻率测量不共用电压探针,避免出现微型热电偶断裂失效的问题; 采用双向加热系统: 自动断电保护: 附有薄膜附件(无需主机,直接使用),可直接测量薄膜材料常温下的 seebeck 系数和电阻率。 薄膜附件 (测量常温 seebeck 系数和电阻率) 技术原理 动态测量法: 测试过程中给试样两段施加一微小的连续变化的温差,测量样品两端热电势变化,温差AT和热电势之间呈线性关系,其斜率即为 seebeck 系数。 HeatET S=k(斜率)=AV/AT 四探针法: 即四点接触法,电流的路径如右图所示,但测量电压使用的是另外两个接触点。相比二探针法,四探针法测量电阻率有个非常大的优点——不需要校准;有时用其他方法测量电阻率时还用四探针法校准,因而测量精度更高。 ● 界面友好,操作简单,可实时显示采集数据、测试状态及测试结果 高度自动化:既可自动测量,也支持半自动测量与手动采集 数据采集处理实时显示,通过软件读取数据文件可一目了然地查看测量数据质量 智能化数据存储及处理算法:原始数据支持 Origin、Excel 等多种办公绘图软件,测试结果存储在以测试者名字命名的文件夹内、文件名涵盖样品以及测试时间信息,数据查看方便清晰 测试内容:赛贝克-0℃测试模式:手动测试测试时间:2015/6/113:25:25 软件主界面 数据拟合图 技术参数 温度范围 RT~800℃ RT~1000℃ RT~1200℃ 温控方式 PID 程序控制 真空度 ≤50Pa 测试气氛 真空 测量范围 塞贝克系数: S≥8x10-八V/K;电阻率:1070m~0.10m 分辨率 塞贝克系数:5x108V/K;电阻率:5x1080m 相对误差 塞贝克系系≤6%(拟合度: 99.999%),电阻率≤5% 测量模式 全自动 样品尺寸 块体样品:长条形,长×宽:(2~5)X(2~5)mm; 高度: 10~18mm 薄膜样品:长方形,长≥23mm, 宽≥28mm 注:对于薄膜样品,目前只能测常温下的 seebeck 系数与电阻率,故无需真空与 PID 程序控制。 样品要求 块体: 可直接切割加工处理,完成加工后具备平整上下端即可,其尺寸满足前述长宽高要求的长方体 ● 若样品表面有腐蚀或氧化等杂质层覆盖,需对样品表面进行抛光处理,使材料裸露出来且保证接触良好 薄膜: ● 满足上述尺寸要求,待测面平整,薄膜均匀性好,保证与康铜片接触良好,厚度最低可至 100nm,其均匀性有较高要求,薄膜厚度达到微米级较好 薄膜材料的衬底需选择电阻率较大或绝缘材料为宜,如玻璃、Si等材料 1、康铜样品测试数据与美国AIP标准数据对比 2、Cu2Se(Mn)测试结果对比(深圳大学提供样品) 3、Bi-Sb-Te热电薄膜样品和石墨样品数据 国防科技大学提供样品 石墨样品由中钢集团提供 上海昊扩科技发展有限公司电话: 传真:海市闵行区恒南路
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