中科院物理所纳米实验室 N10 组提出了一种非接触式应变直写技术。该技术可以在二维材料中准确写入纳米到微米尺度设计图案的应变。这项全新应变技术,具备高度的灵活性以及半导体工艺兼容性,有望进一步推进二维材料在纳米机电系统、高性能传感和非传统光伏到量子信息科学等广泛领域的潜在应用。相关成果 "Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation."已在Applied Physics Letters 上发表。
应变工程是指通过拉伸或压缩等应变技术来调控材料性能或优化相关器件性能。近些年来,随着二维材料的兴起,基于它的应变工程研究变得火热起来。但现有的二维材料应变技术(如拉伸衬底、产生气泡等),重复性及灵活性差,因此如何实现微区可控复杂应变成为应变工程发展的重要方向之一。 中科院物理所纳米实验室 N10 组提出了一种非接触式应变直写技术。该技术可以在二维材料中准确写入纳米到微米尺度设计图案的应变。这项全新应变技术,具备高度的灵活性以及半导体工艺兼容性,有望进一步推进二维材料在纳米机电系统、高性能传感和非传统光伏到量子信息科学等广泛领域的潜在应用。相关成果 "Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation."已在 Applied Physics Letters 上发表。
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