看了等离子体刻蚀设备的用户又看了
l 方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统
l 系统可用于研发和小批量生产
l 系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片;不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空
l 系统包括:一个六端口的转接腔、带机械手
六个端口分别连接:
(1)一个 ALE 刻蚀腔模块:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀
(2)一个ICPECVD 沉积腔模块:用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜
(3)一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块:配氟基气体,主要用于低温深硅刻蚀、常温锗刻蚀等
(4)一个 loadlock 预真空室模块:用于单片样品的手动送样
(5)一个真空片盒站模块:用于多片片盒的自动送样
(6)一个端口备用,未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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