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LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300™ 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层，避免侧壁金属氧化、水化，从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案，使 LMEC-300™ 成为新兴存储器件关键工艺的优选。
设备集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀（RIE）腔室、Pangea® A 离子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉积腔室，工艺不离开真空环境
对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层，该设备可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能
可提供不同工艺解决方案，满足磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（ReRAM）、磁传感器等器件的图形化需求
可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A，形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案
适用于12英寸晶圆
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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