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Pangea®A系列常规IBS设备由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于侧壁清洗等工艺。
Pangea®A系列适用于12英寸晶圆，配置大口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 1%
样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射
工艺过程中，样品台可自转
可搭配多种传输模块
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
鲁汶等离子体刻蚀Pangea® A 系列的工作原理介绍
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鲁汶Pangea® A 系列多少钱一台?
等离子体刻蚀Pangea® A 系列可以检测什么？
等离子体刻蚀Pangea® A 系列使用的注意事项？
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