特点:
• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应
• 通过旋涂的方式涂胶,操作简单
• 涂胶厚度:40nm @ 4000rpm
• 电子束曝光后可溶于水,非常容易去除,且不损伤衬底材料
• 对紫外光、电子束不敏感,无需黄光室
5090.02,适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等;
5091.02,适于酚醛树脂基电子束光刻胶,如AR-N 7520
导电性:
[注]导电胶电阻测量实验结果:胶层越薄,电阻越大,导电性降低。
应用实例:
欢迎致电咨询(电话:010-82867920/21/22),更多光刻胶信息请查看官网:http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514