等离子增强化学气相沉积PECVD

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD 由于电极温度均匀性和电极中的喷淋头设计，可提供出色的保形沉积和低颗粒生成，允许射频能量产生等离子体。等离子体的高能反应性物质提供高沉积速率，以达到所需的基板厚度，同时保持低压。其双频 13.56MHz 和 100KHz 功率应用于上电极，可实现应力控制和薄膜致密化.

• 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性

• 电极的适用温度范围宽

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

• 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

• 成本低且易于维护

• 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C

• 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

特点：将反应物质输送到基材，通过腔室具有均匀的高电导路径，允许使用高气体流量，同时保持低压射频供电喷淋头，具有优化的气体输送功能，通过LF/RF开关提供均匀的等离子体处理，从而可以精确控制薄膜应力高泵送能力，提供宽的工艺压力窗口

通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量

高度可变的下电极

充分利用等离子体的三维特性，在优秀的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm

电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热

可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极

出色的衬底温度控制

射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送

提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力

ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm

确保200mm晶圆的工艺均匀性

高抽气能力

提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷

更好的晶片温度控制

应用范围：

• 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

• 用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀

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