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牛津仪器
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PlasmaPro 100 ICPCVD
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欧洲
看了化学气相沉积设备的用户又看了
该ICPCVD工艺模块设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。
更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺
高质量薄膜
电极的适用温度范围宽
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换不同尺寸晶圆
购置成本低且易于维护
紧密的设计，布局灵活
电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C
实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
在低温度下沉积低损伤的薄膜
可沉积的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，衬底温度可低至5ºC
65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
晶圆尺寸高至200mm
电极的温度范围为5ºC至400ºC
已获得ICPCVD气体配送技术
实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
牛津仪器化学气相沉积（CVD）PlasmaPro 100 ICPCVD的工作原理介绍
化学气相沉积（CVD）PlasmaPro 100 ICPCVD的使用方法?
牛津仪器PlasmaPro 100 ICPCVD多少钱一台?
化学气相沉积（CVD）PlasmaPro 100 ICPCVD可以检测什么？
化学气相沉积（CVD）PlasmaPro 100 ICPCVD使用的注意事项？
牛津仪器PlasmaPro 100 ICPCVD的说明书有吗？
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牛津仪器化学气相沉积（CVD）PlasmaPro 100 ICPCVD报价含票含运吗？
牛津仪器PlasmaPro 100 ICPCVD有现货吗？
