晶圆湿法清洗工作台

WaferStorm平台是先进封装、MEMS、射频、数据存储和光子学市场中许多关键溶剂型工艺的行业选择。有 2 个版本——手动加载 （ML） 和 3300 系列平台。ML系统非常适合研发和试验环境。3300 系列平台是该行业的大批量主力军。

3300 系列架构非常灵活，因为根据吞吐量要求，用户每个系统最多可以有 8 个腔室。此外，该系统能够处理多种晶圆尺寸和晶圆类型，只需进行最少的硬件修改。最后，工艺室可以垂直堆叠，从而实现极小的系统占地面积。

系统架构

大容量平台 – 3300 系列

• 1 – 10 腔室模块化系统

• 占地面积小 - 堆叠腔室

• 机上化学品供应

• 多种晶圆尺寸 - 50 至 300mm

• 多种衬底类型 – Si、LiTaO3、蓝宝石、玻璃

用于研发的手动装载平台 – ML

• 单腔 - 手动负载

溶剂应用

金属升空

• 金属剥离 （MLO） 是化合物半导体和射频市场中的关键过程，在化合物半导体和射频市场中，金属在不损坏底层基板的情况下无法轻松蚀刻。ImmJET技术是批量浸泡和单晶圆喷涂加工的结合。浸泡步骤使用加热的溶剂进行搅拌。通过浸泡软化后，晶圆被转移到单晶圆喷涂站，在那里它们暴露在带有加热溶剂的高压风扇喷涂中，以快速去除厚膜残留物。这种组合确保了工艺性能，同时与湿式工作台和单晶圆解决方案相比，保持了低的CoO。

光刻胶/干膜条

• 采用 ImmJET 技术的 WaferStorm 系统为光刻胶条和干膜条应用提供了工艺性能和较低的拥有成本。特别是，当光刻胶较厚且难以去除时，浸泡和高压喷涂相结合可确保材料去除。此外，专有的过滤技术可实现低停机时间和高生产率。

助焊剂清洁

• 在先进封装中，助焊剂清洁对于晶圆凸块和接头形成过程都至关重要，因为它可以去除焊接材料留下的氧化层和其他杂质，从而确保下一个组装步骤的金属界面干净。液体助焊剂被输送到凸起的表面，必须使用额外的清洁步骤来去除留下的残留物。随着凸块间距变得越来越细，去除助焊剂残留物变得越来越具有挑战性。Veeco 在 WaferStorm 平台上专有的浸泡和喷涂技术特别适用于从最狭窄的间距中去除助焊剂残留物。

洗涤

• Veeco PSP 的单面和双面单晶圆清洗技术可为许多应用实现高效颗粒去除。Veeco 双面 PVA 刷系统可清洁顶部、底部和侧面。此外，还提供额外的单面 PVA 刷刷擦洗技术以及高速喷涂 （HVS） 和 Megasonics，可在所有尺寸的晶圆上获得有效的清洁效果。

TSV 清洁

• TSV 清洁是一个关键的工艺步骤，对可靠性至关重要。深度反应离子蚀刻 （DRIE） 工艺会留下聚合物残留物，从而导致随后的屏障、晶种和填充步骤中出现缺陷和空隙。采用 ImmJET 技术的 WaferStorm 依靠浸入式和高压喷涂工艺的顺序组合来去除高纵横比孔中的残留物，这些残留物是仅使用工作台或仅喷涂工具湿式工具留下的。