SiC分子外延系统
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VEECO

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Epiluvac ER3-C1

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美洲

  • 银牌
  • 第2年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

碳化硅外延系统

Epiluvac ER3-C1

• 晶圆直径可达 200 mm (8“)。
• 通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性。
• 先进的动态气体流量控制,可实现最佳生长速率和掺杂均匀性。
• 具有多个加热区的出色温度曲线。
• 不含石英,适用于氯化工艺。
• 在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可最大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命。
• 模块化设计,两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化。
• 在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输。
• 高达 1800 °C。
适用于中小批量生产和研发。

Epiluvac EPI 1000-C

• 热壁 CVD 具有出色的均匀性。
• 最大 150 mm 基板直径
• 单晶圆和手动装载。
• 非常适合研发。

氮化镓外延系统

Epiluvac ER3-N1

• 上述ER3-C1系统的GaN版本。

• 可选的原位监测。

• 获得专利的温度控制,可最大限度地减少晶圆弯曲。

• 卓越的工艺效果。


售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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VEECO外延系统Epiluvac ER3-C1的工作原理介绍

外延系统Epiluvac ER3-C1的使用方法?

VEECOEpiluvac ER3-C1多少钱一台?

外延系统Epiluvac ER3-C1可以检测什么?

外延系统Epiluvac ER3-C1使用的注意事项?

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VEECO外延系统Epiluvac ER3-C1报价含票含运吗?

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