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真空室结构: 球形前开门 真空室尺寸: φ450mm 极限真空度: ≤6.67E-6Pa 沉积源: φ2英寸靶材，4个 样品尺寸，温度: φ2英寸，1片，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）: 约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述: 全自动 工艺: 特色参数 : 产品概述： 系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 设备用途： 脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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