看了有掩模光刻机的用户又看了
v 最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm
v 拼接精度:
100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigma
v 套刻精度:
100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigma
v 束电流稳定性<0.2%/h 束位置稳定性<120nm/8h
v 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调
v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nA
v 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nm
通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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