等离子增强化学气相沉积PECVD
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  • 银牌
  • 第2年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

应用方向:高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途;用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

电阻丝加热电极,最高温度可达400°C1200°C

实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺

晶圆最大可达200mm,可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

高导通的径向(轴对称)抽气结构:确保提升了工艺均匀性和速率

增加了<500毫秒的数据记录功能:可追溯腔室和工艺条件的历史记录

通过前端软件进行设备故障诊断,故障诊断速度快

用干涉法进行激光终点监测:在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测:监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测


售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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