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EPEE系列 等离子化学气相沉积系统
1、先进的单片和多片式架构,满足量产和研发客户需求
Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D
2、高效传输系统,智能软件调度算法
Efficient transport system, intelligent software scheduling
3、高效远程等离子体清洗系统,优异的颗粒控制
Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control
4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺
Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process
5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测
Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection
技术参数
1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容
2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳
3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层
4、适用领域 新兴应用、科研、化合物半导体、集成电路
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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化学气相沉积(CVD)EPEE系列-的使用方法?
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