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v 应用方向:提供深硅蚀刻(DSiE)领域的MEMS,先进封装和纳米技术的广泛应用,从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀,不需要更换腔室硬件就可以实现
v 产品特点:
Ø 光滑侧壁工艺
Ø 高刻蚀速率腔刻蚀
Ø 高深宽比工艺
Ø 锥形通孔刻蚀
Ø 机械或静电压盘,加热内衬
Ø 延长了两次清洗间的平均时间间隔(MTBC)环形激光陀螺反射镜
Ø X射线光学系统
Ø 红外(IR)传感器
II-VI族材料,通信滤波器
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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