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v 产品概述:系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成
v 设备用途:是一种利用激光高能量脉冲辐射冲击固体靶时,激光与物质之间的所有物理相互作用,亦包括等离子羽状物的形成,其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移,及最后物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段。PLD非常适合生长多元氧化物的多层膜和异质膜,轻松实现对化学成分较复杂的复合物材料进行材料生长。在生长过程中还可以实现引入活性或惰性及混合气等工艺气体,以提高薄膜生长品质
v 基片尺寸:8inch(可向下兼容)
v 加热温度:1000℃ 加热方式:辐射加热
v 靶材:3*4”
v 真空度:5*10-7Pa
v 气路系统:氧气、氮气、氩气
v 模块:PLD+进样室
v 激光窗口:配有闸板阀
光路系统:激光扫描功能
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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