高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--Cluster PECVD

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型号

Cluster PECVD

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产地

中国大陆

深圳市矢量科学仪器有限公司

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核心参数

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真空室结构:

1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构

真空室尺寸:

中央传输室：Φ1000×280mm ；沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm

极限真空度:

中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa

沉积源:

样品尺寸，温度:

114X114X3mm，加热温度350度，机械手传递样品

占地面积（长x宽x高）:

约13米x9米x2.3米（设计待定）

电控描述:

全自动

工艺:

在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%

特色参数 :

共有8路工作气体

设备用途：
团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。

售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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