8英寸单片常压/减压硅外延系统

Esther/Eris 系列 8英寸单片常压/减压硅外延系统

1、先进的红外加热控制技术和加热模块设计有效提高成膜质量

 Advanced infrared temperature control technology and heating module design to obtain epitaxial film with high quality 

2、独特的传输系统和工艺模块设计可兼容多种工艺用途 

Unique transfer system and process module compatible with multiple processes 

3、友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效 

User-friendly interface and security designed to ensure the system stability, safety and efficiency 

4、具有单腔和多腔两种机型，可满足不同客户需求

 Single/mulit-chamber system meet different requirement

技术参数 Technical Parameters

1、晶圆尺寸 6、8 英寸 

Wafer size 6" 8" 

2、适用材料 硅 

Applicable material Si 

3、适用工艺 常压：N&P 常压硅外延 

Applicable process AP：N&P type atmospheric Si epitaxy 

4、 减压：埋层外延、选择性外延、多晶外延 

 RP：Buried layer epitaxy, Selective epitaxy, Polycrystalline epitaxy 

5、适用领域 科研、集成电路 

Applied field R&D, IC