超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统
超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统

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沈阳科仪

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LMBE450

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中国大陆

  • 银牌
  • 第2年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

 产品概述:

系统由真空腔室(外延室、进样室)、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。

设备用途:
脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION,简称PLD)是新近发展起来的一项技术,继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后,它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比,脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程,因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜,非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜,显示出了诱人的应用前景。

真空室结构:
球形前开门双室

真空室尺寸:
镀膜室尺寸:Ф450mm ;进样室尺寸:Ф150x300mm

极限真空度:
镀膜室≤6.0E-8Pa;进样室:≤6.0E-5Pa

沉积源:
φ2英寸靶材,4个;或φ1英寸靶材,6个

样品尺寸,温度:
φ2英寸,1片,最高800℃

占地面积(长x宽x高):
约2.8米x1.3米x1.9米

电控描述:
部分电动控制

工艺:

特色参数 :
配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器


售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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沈阳科仪外延系统LMBE450的工作原理介绍

外延系统LMBE450的使用方法?

沈阳科仪LMBE450多少钱一台?

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