看了化学气相沉积设备的用户又看了
批量配置中的单晶圆性能
生产力
外延成本
全自动晶圆装载 （C2C）
单个晶圆气箔旋转 （GFR）
自动化顶部晶圆温度控制 （TTC），用于优化批量处理
最大反应器容量（9 x 150 mm 和 6 x 200 mm）
高增长率SiC工艺
热晶圆转移和快速热反应器循环
每 m2 晶圆厂空间效率的晶圆产量
每片晶圆的耗材成本低
每片晶圆的气体和电力消耗
运行 4 个系统，用于 150/200 mm SiC 工艺开发
由德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力
通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持
150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障
市场上最高的晶圆产量 / m2
市场上的成本/晶圆
出色的运行过程性能
高度均匀、低缺陷的 SiC 外延工艺，可实现最大的芯片良率
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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