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1.产品概述:
PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀,同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制,结合先进的工艺技术,可实现超高深宽比下良好的工艺性能,配置多腔平台,满足大产能量产使用需求。
2.设备应用:
晶圆尺寸
8/12 英寸兼容
适用材料
硅、氧化硅、氮化硅
适用工艺
2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀
适用领域
集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统
3.特色优点:
刻蚀方式:采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式,能够在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌,实现侧壁无损伤和线宽无损伤,且刻蚀均匀性、选择比更佳 135。
结构设计:每腔单片设计,具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现,可确保半导体器件制造工艺的质量和稳定性更优。并且机台可同时配置 6 个腔室,产能和性能表现优异 15。
晶圆边缘保护:通过优化机台晶圆边缘保护装置,有效提高了产品良率,其效果优于当前行业产品指标 。
工艺应用:全面应用于国内各大 12 英寸主流 fab 厂,不仅是 TSV 量产生产线主力机台,还扩展至功率器件、CIS 等领域。例如,在 TSV 工艺中表现出色;在 2.5D 工艺中,可提供能满足 BVR(背面通孔暴露)和 BFR(背面平整暴露)不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案。
4.设备特点
兼容Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖
优化的进气系统和ESC系统,提高均匀性
快速进气系统,确保刻蚀速率高,Scallop小
实现高深宽比的形貌控制
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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