您好,欢迎访问仪器信息网
注册
厦门韫茂科技有限公司

关注

已关注

已认证

粉丝量 0

当前位置: YM > 原子层沉积设备 > 双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T

品牌: 韫茂
产地: 福建
型号: QBT-T
报价: ¥100万 - 200万
留言咨询

核心参数

产地类别: 国产

衬底尺寸: 6寸

工艺温度: RT-300℃

前驱体数: 最大可包括3组等离子体反应气体,8组液体或固体反应前驱体

重量: 300KG

尺寸(W x H x D): 1400*1000*1900mm

均匀性: 99%

产品介绍

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T


6.jpg

原子层沉积(Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 


产品描述


厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统(QBT-T),设备采用双腔体设计,腔体之间可实现独立控制,双倍产出。腔体分别为PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计,使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺,设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统,保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制,以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。


主要技术参数


QBT-T 技术参数 Technical Specifications (TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备)
腔体双腔体设计(1个硅片PEALD腔室,1个粉末ALD腔室),每个腔体独立控制,双倍产出
等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源
最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制)
高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃
前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
臭氧发生器Ozone Generator可选配,生产效率15g/h
人机界面 HMI全自动化人机操作界面
安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO







售后服务
保修期: 1年
是否可延长保修期:
现场技术咨询:
免费培训: 1. 设备出厂前,提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试
免费仪器保养: 有需要可安排
保内维修承诺: 保修期内(除天灾和人为损害外)部件、元件费用、出差费用均由我司承担
报修承诺: 质保期内出现故障时我司将及时响应,并在8小时内派技术人员到现场解决故障;
相关仪器

更多

桌面型原子层沉积系统ALD

型号:Mini Desktop ALD

¥ 50万

粉末式原子层沉积 GM1000

型号:GM10/100/1000

¥ 100万 - 200万

QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统

型号:QBT-I

¥ 150万 - 200万

双腔室超高真空双倾角蒸镀系统

型号:QBT-E

¥ 150万 - 200万

双腔室高真空等离子体ALD系统

型号:QBT-A

¥ 100万 - 200万

相关方案

更多

用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜

原子沉积的Al2O3膜可以应用在太阳能光伏/钙钛矿电池等领域,例如:制作钝化发射极的晶体硅太阳能电池;钙钛矿电池的钝化层;有机电致发光的封装薄膜等。本次实验在4寸硅片上镀AL3O2,ZnO薄膜,使薄膜表面具有最高的均匀性和致密性&#823&#823

其他

2022/03/17

相关资料

更多

原子层沉积氧化铝包覆羰基铁粉的抗腐蚀性及吸波性能

为了提高羰基铁粉的抗腐蚀能力及改善其电磁性能, 以 TMA 和 H2O 为前驱体, 利用原子层沉积(ALD)方法 对羰基铁粉进行表面包覆改性, 在羰基铁粉表面包覆不同厚度的氧化铝。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、 综合热分析仪(TGA)、红外光谱(FTIR)和矢量网络分析仪等技术手段系统分析了改性前后羰基铁粉性能指标。结果 表明, 通过 ALD 方法可在羰基铁粉表面生长纳米级别具有良好保型的氧化铝薄膜, 形成了极佳的羰基铁/氧化铝壳 层结构复合材料。与原样品相比, 包覆改性后的羰基铁粉热稳定性与抗腐蚀性有极大的提高, 且随着包覆厚度的增 加, 抗氧化能力增强, 最大抗氧化温度可超过 550℃。同时羰基

548KB

2022/03/17

同时增强单晶LiNi的界面稳定性和动力学0.6锰0.2公司0.2O2通过优化表面涂层和掺杂

通过表面工程平衡界面稳定性和锂传递动力学是开发高性能电池材料的关键挑战。尽管通过原子层沉积(ALD)实现的保形涂层在通过最小化电极 - 电解质界面处的副反应来控制循环时的阻抗增加方面显示出很大的前景,但涂层本身通常表现出较差的Li导电性并阻碍表面电荷转移。在这项工作中,我们已经证明,通过仔细控制超薄ZrO的退火后温度++2薄膜由 ALD, Zr 制备4+对于富含Ni的层状氧化物,可以实现表面掺杂,以加速电荷转移,同时提供足够的保护。使用单晶LiNi0.6锰0.2公司0.2O2作为模型材料,我们已经展示了表面Zr4+掺杂与ZrO相结合2涂层可以提高高压运行期间的循环性能和速率能力。通过对原子层沉积表面涂层进行可控的后退火进行表面掺杂,为单晶电池材料开发稳定和导电界面提供了一条有吸引力的途径。+

1146KB

2022/03/17

通过表面修饰构用于建全固态电池的高比能单晶NCM811正极

在全固态电池(ASSB)中,具有电化学机械兼容微结构的单晶LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(S-NCM811)电化学性能优于多晶NCM811的电化学性能。然而,正极/固态电解质(SSE)界面上的不良副反应导致ASSB容量和倍率性能低于锂离子电池,限制了S-NCM811在ASSB中的实际应用。在此,本文通过在S-NCM811表面进行修饰,实现了高的容量(205mAh g-1,0.1C)和出色的倍率性能(0.3C时为175mAh g-1,1C时为116mAhg-1)。通过原子层沉积技术与退火处理相结合,在S-NCM811表面包覆了一层纳米锂铌氧化物(LNO)层。纳米LNO层有效地抑制了硫化物SSE的分解并稳定了正极/SSE界面。与原始材料相比,LNO层在400°C的退火过程中提高了涂层的均匀性,消除了残留的锂盐,并使得循环过程中的阻抗增加减小,电化学极化也减小。这项工作突出了ASSB中退火纳米LNO层在高镍正极应用中的关键作用。

7506KB

2022/03/11

工商信息

企业名称

厦门韫茂科技有限公司

企业信息已认证

企业类型

信用代码

91350200ma31jeyq4y

成立日期

2018-03-19

注册资本

409

经营范围

厦门韫茂科技有限公司为您提供韫茂双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T,韫茂QBT-T产地为福建,属于国产原子层沉积设备,除了双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供桌面型原子层沉积系统ALD 、粉末式原子层沉积 GM1000、QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统,YM客服电话,售前、售后均可联系。

厦门韫茂科技有限公司

沟通底价

提交后,商家将派代表为您专人服务

获取验证码

{{maxedution}}s后重新发送

获取多家报价,选型效率提升30%
提交留言
点击提交代表您同意 《用户服务协议》 《隐私政策》 且同意关注厂商展位
联系方式:
主营产品:
友情链接:

仪器信息网APP

展位手机站