2022-03-17 14:38
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桌面型原子层沉积系统ALD
型号: Mini Desktop ALD
产地:
品牌: 韫茂
¥ 50万
参考报价
粉末式原子层沉积 GM1000
型号: GM10/100/1000
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
参考报价
双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
型号: QBT-T
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
参考报价
QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统
型号: QBT-I
产地:
品牌: 韫茂
¥ 150万 - 200万
参考报价
双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P
型号: QBT-P
产地:
品牌: 韫茂
¥ 150万 - 200万
参考报价
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J
型号: QBT-J
产地:
品牌: 韫茂
¥ 200万 - 300万
参考报价
双腔室高真空等离子体ALD系统
型号: QBT-A
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
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通过表面工程平衡界面稳定性和锂传递动力学是开发高性能电池材料的关键挑战。尽管通过原子层沉积(ALD)实现的保形涂层在通过最小化电极 - 电解质界面处的副反应来控制循环时的阻抗增加方面显示出很大的前景,但涂层本身通常表现出较差的Li导电性并阻碍表面电荷转移。在这项工作中,我们已经证明,通过仔细控制超薄ZrO的退火后温度++2薄膜由 ALD, Zr 制备4+对于富含Ni的层状氧化物,可以实现表面掺杂,以加速电荷转移,同时提供足够的保护。使用单晶LiNi0.6锰0.2公司0.2O2作为模型材料,我们已经展示了表面Zr4+掺杂与ZrO相结合2涂层可以提高高压运行期间的循环性能和速率能力。通过对原子层沉积表面涂层进行可控的后退火进行表面掺杂,为单晶电池材料开发稳定和导电界面提供了一条有吸引力的途径。+
在全固态电池(ASSB)中,具有电化学机械兼容微结构的单晶LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(S-NCM811)电化学性能优于多晶NCM811的电化学性能。然而,正极/固态电解质(SSE)界面上的不良副反应导致ASSB容量和倍率性能低于锂离子电池,限制了S-NCM811在ASSB中的实际应用。在此,本文通过在S-NCM811表面进行修饰,实现了高的容量(205mAh g-1,0.1C)和出色的倍率性能(0.3C时为175mAh g-1,1C时为116mAhg-1)。通过原子层沉积技术与退火处理相结合,在S-NCM811表面包覆了一层纳米锂铌氧化物(LNO)层。纳米LNO层有效地抑制了硫化物SSE的分解并稳定了正极/SSE界面。与原始材料相比,LNO层在400°C的退火过程中提高了涂层的均匀性,消除了残留的锂盐,并使得循环过程中的阻抗增加减小,电化学极化也减小。这项工作突出了ASSB中退火纳米LNO层在高镍正极应用中的关键作用。