2022-03-11 16:13
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桌面型原子层沉积系统ALD
型号: Mini Desktop ALD
产地:
品牌: 韫茂
¥ 50万
参考报价
粉末式原子层沉积 GM1000
型号: GM10/100/1000
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
参考报价
双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
型号: QBT-T
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
参考报价
QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统
型号: QBT-I
产地:
品牌: 韫茂
¥ 150万 - 200万
参考报价
双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P
型号: QBT-P
产地:
品牌: 韫茂
¥ 150万 - 200万
参考报价
双腔室高真空等离子体ALD系统
型号: QBT-A
产地:
品牌: 韫茂
¥ 100万 - 200万
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为了提高羰基铁粉的抗腐蚀能力及改善其电磁性能, 以 TMA 和 H2O 为前驱体, 利用原子层沉积(ALD)方法 对羰基铁粉进行表面包覆改性, 在羰基铁粉表面包覆不同厚度的氧化铝。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、 综合热分析仪(TGA)、红外光谱(FTIR)和矢量网络分析仪等技术手段系统分析了改性前后羰基铁粉性能指标。结果 表明, 通过 ALD 方法可在羰基铁粉表面生长纳米级别具有良好保型的氧化铝薄膜, 形成了极佳的羰基铁/氧化铝壳 层结构复合材料。与原样品相比, 包覆改性后的羰基铁粉热稳定性与抗腐蚀性有极大的提高, 且随着包覆厚度的增 加, 抗氧化能力增强, 最大抗氧化温度可超过 550℃。同时羰基
通过表面工程平衡界面稳定性和锂传递动力学是开发高性能电池材料的关键挑战。尽管通过原子层沉积(ALD)实现的保形涂层在通过最小化电极 - 电解质界面处的副反应来控制循环时的阻抗增加方面显示出很大的前景,但涂层本身通常表现出较差的Li导电性并阻碍表面电荷转移。在这项工作中,我们已经证明,通过仔细控制超薄ZrO的退火后温度++2薄膜由 ALD, Zr 制备4+对于富含Ni的层状氧化物,可以实现表面掺杂,以加速电荷转移,同时提供足够的保护。使用单晶LiNi0.6锰0.2公司0.2O2作为模型材料,我们已经展示了表面Zr4+掺杂与ZrO相结合2涂层可以提高高压运行期间的循环性能和速率能力。通过对原子层沉积表面涂层进行可控的后退火进行表面掺杂,为单晶电池材料开发稳定和导电界面提供了一条有吸引力的途径。+